Galyum arsenayt`ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi

Abstract

-III- Ö Z E T Bu çalışmada Galyum Arsenayt (GaAs) yarı-iletkeninin ışık etkisi altında fiziksel özellikleri ve özellikle foto-iletkenli- ğin `belirli şahitlere hağımlılığı araştırılmıştır. Bu münasehetle önce kısaca yarı-iletkenlerle ilgili genel kavramlar üzerinde durul muş tur» Yarı-iletkenlerin incelenmesinde en önemli yeri işgal eden `numune hazırlamak ile ilgili olarak kristalin parlatılması, kesilmesi, temizlenmesi ve kimyasal aşın- dırılması (Etch) anlatıldıktan sonra kısaca kontakt ve karsak fiziğinden söz edilmiştir..Son olarak f ot o-iletk enlik anlatılmış, gerekli deneyler yapılarak sonuçlar değerlendirilmiştir. Sonuç olarak hu araştırmada Galyum Arsenayt kristalinin par latılması, kesilmesi, temizlenmesi ve foto-iletkenliğinin ölçül mesi anlatılmış deneyler yapılarak sonuç tartışılmıştır.