Galyum arsenayt`ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi
dc.contributor.advisor | Akbaş, Hasan | |
dc.contributor.author | Çelikkol, Hüseyin | |
dc.date.accessioned | 2020-12-30T09:06:21Z | |
dc.date.available | 2020-12-30T09:06:21Z | |
dc.date.submitted | 1987 | |
dc.date.issued | 2018-08-06 | |
dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/507341 | |
dc.description.abstract | -III- Ö Z E T Bu çalışmada Galyum Arsenayt (GaAs) yarı-iletkeninin ışık etkisi altında fiziksel özellikleri ve özellikle foto-iletkenli- ğin `belirli şahitlere hağımlılığı araştırılmıştır. Bu münasehetle önce kısaca yarı-iletkenlerle ilgili genel kavramlar üzerinde durul muş tur» Yarı-iletkenlerin incelenmesinde en önemli yeri işgal eden `numune hazırlamak ile ilgili olarak kristalin parlatılması, kesilmesi, temizlenmesi ve kimyasal aşın- dırılması (Etch) anlatıldıktan sonra kısaca kontakt ve karsak fiziğinden söz edilmiştir..Son olarak f ot o-iletk enlik anlatılmış, gerekli deneyler yapılarak sonuçlar değerlendirilmiştir. Sonuç olarak hu araştırmada Galyum Arsenayt kristalinin par latılması, kesilmesi, temizlenmesi ve foto-iletkenliğinin ölçül mesi anlatılmış deneyler yapılarak sonuç tartışılmıştır. | |
dc.description.abstract | en_US | |
dc.language | Turkish | |
dc.language.iso | tr | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/embargoedAccess | |
dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
dc.title | Galyum arsenayt`ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi | |
dc.type | masterThesis | |
dc.date.updated | 2018-08-06 | |
dc.contributor.department | Diğer | |
dc.identifier.yokid | 1366 | |
dc.publisher.institute | Fen Bilimleri Enstitüsü | |
dc.publisher.university | TRAKYA ÜNİVERSİTESİ | |
dc.identifier.thesisid | 1366 | |
dc.description.pages | 61 | |
dc.publisher.discipline | Diğer |