Search
Now showing items 11-16 of 16
59,5 keV enerjili gama ışınları kullanılarak Sn ve Ta`da atom başına koherent saçılma diferansiyel tesir kesitlerinin farklı açılarda ölçülmesi
(2018-08-06)
ÖZET Bu çalışmada, kalay ve tantalyumun atom başına koherent saçılma diferansiyel tesir kesiti deneysel olarak ölçülmüştür. Radyoaktif Am-241 kaynağından yayınlanan 59540 eV'luk y-fotonları 25 ve 50 (im kalınlığında ...
M ve L alt tabakaları fotoelektrik tesir kesitleri ve bazı kristallere ait compton saçılması diferensiyel tesir kesitlerinin ölçülmesi
(2018-08-06)
ÖZET Doktora Tezi M VE L ALTTABAKALARI FOTOELEKTRİK TESİR KESİTLERİ VE BAZI KRİSTALLERE AİT COMPTON SAÇILMASI DİFERANSİYEL TESİR KESİTLERİNİN ÖLÇÜLMESİ Mehmet ŞAFÜN Atatürk üniversitesi Fen Bilimleri Ensititüsü Fizik ...
Coster-Kronig geçiş ihtimalleri, flüoresans tesir kesitleri ve flüoresans verimler üzerine kimyasal etkiler
(2018-08-06)
ÖZET Hg, Pb ve Bi bileşiklerinde Coster-Kronig geçiş ihtimalleri üzerine; Ba, La ve Ce bileşiklerinde K ve L tabakası flüoresans verimleri ve flüoresans tesir kesitleri üzerine; Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, As, Se, ...
Si (Li) dedektörü ile ölçülen karakteristik LX-ışınlarının flüoresans üretim tesir kesitlerinin uyarma enerjisine bağlı olarak değişimi
(2018-08-06)
Si(Li) katıhal dedektörü kullanılarak Er, Ta, W, Au, Hg, Tl, Pb, ve Bi elementlerine ait, karakteristik L x-ışını üretim tesir kesitleri enerjiye bağlı olarak 16,89-59,5 keV enerji aralığında ikincil uyarıcı metodu ...
59.5 keV`de farklı elementler için koherent saçılma diferansiyel tesir kesitinin ölçülmesi
(2018-08-06)
İlk olarak Au elementinin atom başına koherent saçılma diferansiyel tesir kesitlerinin açısal değişimi 45°-125° aralığında incelenmiştir. 100 mCi'lik Am-241 nokta kaynağından yayınlanan 59,5 keV'lik gama fotonları ...
59,5 keV`de 72≤ Z ≤ 92 aralığındaki bazı elementlerin L alt tabaka ve toplam L tabaka fotoelektrik tesir kesitlerinin ölçülmesi
(2018-08-06)
Hf, Ta, W, Au, Hg, Tl, Pb, Bi, Th ve U elementlerinden yayınlanan karakteristik L X- ışınlan bir Si(Li) yarı iletken detektör kullanılarak ölçüldü. Numuneleri uyarmak için 100 mCi şiddetinde 241Am nokta kaynaktan yayınlanan ...