The Determination sensitizing centers and band gap of the photoconductive materials
Abstract
ÖZET FOTOILETKEN MALZEMELERİN HASSASLAŞTIRMA MERKEZLERİNİN VE BAND ARALIKLARININ HESAPLANMASI YAZICI Ahmet Necmeddin Yüksek Lisans Tezi, Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ata SELÇUK Şubat 1993, 96 sayfa Bu çalışmada, yüksek vakuum ve yüksek sxcaklik koşullarında Selenyum (Se) tozları Klor (Cl) tozları ile karıştırılıp Selenyum fotoiletkeni geliştirildi. Aynı şartlar altında Çinkosülfür (ZnS) ve Çinkoklörür (ZnCİ) tozları karıştırılıp Çinkosülfür fotoiletkeni yapıldı. Geliştirilen fotoiletkenler İşığa karşı oldukça hassastırlar. Bu fotoiletkenlerdeki hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu Kapasitör-Voltaj (C-V) ve sinırlandırılmiş boşluk yükleri methodları kullanılarak bulundu. Se ve ZnS'nin yasak bölgesindeki hassaslaştirma merkezlerinin enerji seviyeleri dalgaboyu ile f otoiletkenlik uyarımının değişmesi methodu kullanılarak elde edildi. Hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu ışık yoğunluğu ile düzgün değiştiği görüldü; Se ve ZnS fotoiletkenlerinin band enerji değerlerinin teorik değerleri ile çok iyi uyum içinde olduğu bulundu. Anahtar Kelimeler: Birleşme merkezleri II, Hassaslaştirma merkezleri, Fotohassaslık, Se, ZnS iv ÖZET FOTOILETKEN MALZEMELERİN HASSASLAŞTIRMA MERKEZLERİNİN VE BAND ARALIKLARININ HESAPLANMASI YAZICI Ahmet Necmeddin Yüksek Lisans Tezi, Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ata SELÇUK Şubat 1993, 96 sayfa Bu çalışmada, yüksek vakuum ve yüksek sxcaklik koşullarında Selenyum (Se) tozları Klor (Cl) tozları ile karıştırılıp Selenyum fotoiletkeni geliştirildi. Aynı şartlar altında Çinkosülfür (ZnS) ve Çinkoklörür (ZnCİ) tozları karıştırılıp Çinkosülfür fotoiletkeni yapıldı. Geliştirilen fotoiletkenler İşığa karşı oldukça hassastırlar. Bu fotoiletkenlerdeki hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu Kapasitör-Voltaj (C-V) ve sinırlandırılmiş boşluk yükleri methodları kullanılarak bulundu. Se ve ZnS'nin yasak bölgesindeki hassaslaştirma merkezlerinin enerji seviyeleri dalgaboyu ile f otoiletkenlik uyarımının değişmesi methodu kullanılarak elde edildi. Hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu ışık yoğunluğu ile düzgün değiştiği görüldü; Se ve ZnS fotoiletkenlerinin band enerji değerlerinin teorik değerleri ile çok iyi uyum içinde olduğu bulundu. Anahtar Kelimeler: Birleşme merkezleri II, Hassaslaştirma merkezleri, Fotohassaslık, Se, ZnS iv
Collections
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess