Show simple item record

The Determination sensitizing centers and band gap of the photoconductive materials

dc.contributor.advisorSelçuk, Ata
dc.contributor.authorYazici, Ahmet Necmeddin
dc.date.accessioned2020-12-29T13:39:54Z
dc.date.available2020-12-29T13:39:54Z
dc.date.submitted1993
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/430994
dc.description.abstractÖZET FOTOILETKEN MALZEMELERİN HASSASLAŞTIRMA MERKEZLERİNİN VE BAND ARALIKLARININ HESAPLANMASI YAZICI Ahmet Necmeddin Yüksek Lisans Tezi, Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ata SELÇUK Şubat 1993, 96 sayfa Bu çalışmada, yüksek vakuum ve yüksek sxcaklik koşullarında Selenyum (Se) tozları Klor (Cl) tozları ile karıştırılıp Selenyum fotoiletkeni geliştirildi. Aynı şartlar altında Çinkosülfür (ZnS) ve Çinkoklörür (ZnCİ) tozları karıştırılıp Çinkosülfür fotoiletkeni yapıldı. Geliştirilen fotoiletkenler İşığa karşı oldukça hassastırlar. Bu fotoiletkenlerdeki hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu Kapasitör-Voltaj (C-V) ve sinırlandırılmiş boşluk yükleri methodları kullanılarak bulundu. Se ve ZnS'nin yasak bölgesindeki hassaslaştirma merkezlerinin enerji seviyeleri dalgaboyu ile f otoiletkenlik uyarımının değişmesi methodu kullanılarak elde edildi. Hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu ışık yoğunluğu ile düzgün değiştiği görüldü; Se ve ZnS fotoiletkenlerinin band enerji değerlerinin teorik değerleri ile çok iyi uyum içinde olduğu bulundu. Anahtar Kelimeler: Birleşme merkezleri II, Hassaslaştirma merkezleri, Fotohassaslık, Se, ZnS iv
dc.description.abstractÖZET FOTOILETKEN MALZEMELERİN HASSASLAŞTIRMA MERKEZLERİNİN VE BAND ARALIKLARININ HESAPLANMASI YAZICI Ahmet Necmeddin Yüksek Lisans Tezi, Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ata SELÇUK Şubat 1993, 96 sayfa Bu çalışmada, yüksek vakuum ve yüksek sxcaklik koşullarında Selenyum (Se) tozları Klor (Cl) tozları ile karıştırılıp Selenyum fotoiletkeni geliştirildi. Aynı şartlar altında Çinkosülfür (ZnS) ve Çinkoklörür (ZnCİ) tozları karıştırılıp Çinkosülfür fotoiletkeni yapıldı. Geliştirilen fotoiletkenler İşığa karşı oldukça hassastırlar. Bu fotoiletkenlerdeki hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu Kapasitör-Voltaj (C-V) ve sinırlandırılmiş boşluk yükleri methodları kullanılarak bulundu. Se ve ZnS'nin yasak bölgesindeki hassaslaştirma merkezlerinin enerji seviyeleri dalgaboyu ile f otoiletkenlik uyarımının değişmesi methodu kullanılarak elde edildi. Hassaslaştirma merkezlerinin yoğunluğu ışık yoğunluğu ile düzgün değiştiği görüldü; Se ve ZnS fotoiletkenlerinin band enerji değerlerinin teorik değerleri ile çok iyi uyum içinde olduğu bulundu. Anahtar Kelimeler: Birleşme merkezleri II, Hassaslaştirma merkezleri, Fotohassaslık, Se, ZnS iven_US
dc.languageEnglish
dc.language.isoen
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleThe Determination sensitizing centers and band gap of the photoconductive materials
dc.title.alternativeFotoiletken malzemelerin hassaslaştırılma merkezlerinin ve band aralıklarının hesaplanması
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.subject.ytmZinc
dc.subject.ytmPhotoconductivity
dc.subject.ytmChlorine
dc.subject.ytmSensitizing centers
dc.subject.ytmSelenium
dc.identifier.yokid28585
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityGAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid28585
dc.description.pages96
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail
Name:
yokAcikBilim_28585.pdf
Size:
4.617Mb
Format:
PDF
Description:
File_28585
View/Open

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess