Nanokristal yapılı silisyumlarda sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı fotoışıma
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
VI ÖZET NANOKRİSTAL YAPILI SİLİSYUMLARDA SICAKLIĞA VE LASER GÜCÜNE BAĞLI FOTOIŞIMASI Mikroelektronik endüstrisinde yaygın bir kullanımı bulunan kristal silisyum dolaylı bir bant aralığına sahip bulunmakta ve bunun neticesinde ışıma yapamamaktadır. Ancak amorf, gözenekli ve siyah silisyum gibi nanokristal yapılı silisyumlardan oda sıcaklığında görünür ve kızılötesi ışıma gözlenmiştir. Bu tür silisyum tabanlı maddeler morfolojik olarak birbirlerine benzemekte ve benzer ışıma özelliklerine sahiptirler. Bu çalışmamızda yeni optoelektronik araçların elde edilmesinde kullanılmak üzere nanokristal silisyumların sıcaklık ve lazer gücüne bağımlı fotoışımaları araştırılmıştır. Nanokristal silisyum ışıması kaynağı, bant karakteristiği, bileşeni ve mikroyapısmı analiz etmek için optik karakterizasyon metodu kullamlmıştir. Amorf, gözenekli ve siyah silisyum gibi nanoyapılı silisyum kristaUerinin ışıma aralığı 10 K-300 K sıcaklık ve 550- 950 nm dalgaboyu aralığında araştırılmıştır. Işıma bandının davranışları farklı sıcaklıklarda ve farklı lazer güçlerinde incelenmiştir. Ayrıca nanoyapılı silisyumların fotoışıma mekanizmaların anlaşılmasına yardımcı olmak amacı ile yüzeysel karakteristik ve nanoyapı modellerinin elde edilmesi için yapısal karakterizasyon metodu kullanılmıştır. Farklı büyüklük ve yönlerde amorf, gözenekli ve siyah silisyumların optik mikroskop (OM), Atom Kuvvet Mikoroskop (AFM) ve Taramalı Elektron Mikroskop (SEM) görüntüleri elde edilmiştir. ABSTRACT TEMPERATURE AND LASER POWER DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN NANOCRYSTALLINE SILICON Crystalline silicon being dominant throughout the microelectronics industry has an indirect bandgap, and therefore is incapable of light emission. However, strong room temperature visible and near-IR luminescence from nanocrystalline silicon, e.g., amorphous silicon, porous silicon, and black silicon, has been observed. These silicon based materials are morphologically similar to each other, and have similar luminescence properties. We have studied the temperature and laser power dependence of the photoluminescence from these nanocrystalline silicons to fully characterize and optimize these materials in the pursuit of obtaining novel optoelectronic devices. Optical characterization method is used to analyze the microstructure, composition, band characteristics, and origin of luminescence from the nanocrystalline silicon. The photoluminescence (PL) spectra of amorphous, porous and black silicon as nanostructured silicon crystals were investigated in the 10 K-300 K temperature region in the 550-950 nm wavelength range. The behaviour of the emission band peak energy, and the intensity dependence of the emission band for different temperatures were studied. Structural characterization method is also used to obtain general surface characteristics and nanostructure patterns in order to assist in the understanding of the underlying PL mechanism of these nanostructured silicons. Optical microscope images, Atomic Force Microscope (AFM) and Scanning Electron Microscopy (SEM) images of amorphous, porous and black silicon as means of structural characterization were obtained at different magnifications and orientations.
Collections