Metal/ CuPc / inorganik yarıiletken kontakların fabrikasyonu ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada (1 0 0) doğrultusunda büyütülmüş 1-5x10-17 cm-3 yoğunluğuna sahip p tipi InP kullanıldı. Termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince film üzerine 5 x 10-6 torr basınç altında %99,9 saflığında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyotu oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotumuzun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Bakır Fitalosiyanin, ?dealite Faktörü, Engel Yüksekliği

We used p-type InP grown in the direction of (1 0 0) and has 1-5x10-17 cm-3 carrier density in this work. Copper phthalocyanine (CuPc) was covered on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was constructed by evaporating %99.9 purity aluminum metal on the thin film which composed by thermal evoparating method under presure order of 5x10-6 torr. Current-Voltage (I-V) measured was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under light. By using (I-V) graphs, it was seen that structure shows rectifying property. We use light of 100 mW/cm2 intencity and found that our diode has photodiode properties. Furthermore, Al/CuPc/p-InP Schottky diode characteristic parameters (ideality factor (n), barier height ( ?b) and series resistance (Rs) ) were calculated by different methodsKeywords: Schottky Diodes, Copper Phthalocyanine, Ideality Factor, Barrier Height