Metal/ CuPc / inorganik yarıiletken kontakların fabrikasyonu ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
dc.contributor.advisor | Güllü, Ömer | |
dc.contributor.author | Aslan, Filiz | |
dc.date.accessioned | 2020-12-04T09:25:38Z | |
dc.date.available | 2020-12-04T09:25:38Z | |
dc.date.submitted | 2013 | |
dc.date.issued | 2018-08-06 | |
dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/70364 | |
dc.description.abstract | Bu çalışmada (1 0 0) doğrultusunda büyütülmüş 1-5x10-17 cm-3 yoğunluğuna sahip p tipi InP kullanıldı. Termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince film üzerine 5 x 10-6 torr basınç altında %99,9 saflığında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyotu oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotumuzun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Bakır Fitalosiyanin, ?dealite Faktörü, Engel Yüksekliği | |
dc.description.abstract | We used p-type InP grown in the direction of (1 0 0) and has 1-5x10-17 cm-3 carrier density in this work. Copper phthalocyanine (CuPc) was covered on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was constructed by evaporating %99.9 purity aluminum metal on the thin film which composed by thermal evoparating method under presure order of 5x10-6 torr. Current-Voltage (I-V) measured was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under light. By using (I-V) graphs, it was seen that structure shows rectifying property. We use light of 100 mW/cm2 intencity and found that our diode has photodiode properties. Furthermore, Al/CuPc/p-InP Schottky diode characteristic parameters (ideality factor (n), barier height ( ?b) and series resistance (Rs) ) were calculated by different methodsKeywords: Schottky Diodes, Copper Phthalocyanine, Ideality Factor, Barrier Height | en_US |
dc.language | Turkish | |
dc.language.iso | tr | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
dc.title | Metal/ CuPc / inorganik yarıiletken kontakların fabrikasyonu ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi | |
dc.title.alternative | Fabrication of metal/ CuPc / inorganic semiconductor contacts and investigation of electrical properties | |
dc.type | masterThesis | |
dc.date.updated | 2018-08-06 | |
dc.contributor.department | Fizik Anabilim Dalı | |
dc.identifier.yokid | 10009275 | |
dc.publisher.institute | Fen Bilimleri Enstitüsü | |
dc.publisher.university | BİNGÖL ÜNİVERSİTESİ | |
dc.identifier.thesisid | 338632 | |
dc.description.pages | 63 | |
dc.publisher.discipline | Diğer |