n-GaAs anodik MOS yapısının banzetim teknikleri kullanılarak incelenmesi

Abstract

III ÖZET Yüksek Lisans Tezi n-GaAs ANODİK MOS YAPILARININ BENZETİM TEKNİKLERİ KULLANILARAK İNCELENMESİ Bu çalışmada, n-tipi GaAs yarıiletken tabanlı MOS yapılarının deneysel yöntemlerle elde edilen C-V ve I-V karakteristikleri kullanılarak benzetim programı WPSPICE ile MOS yapının eşdeğer devre modelleri elde edilmeye çalışılmıştır. Benzetim programı WPSPICE ile MOS' lar için verilen devre modellerinden Chih Tang-Sah'm önerdiği (Sah C. T., 1991) MOS eşdeğer devre modeli kullanılmıştır. Bu eşdeğer devre modelinin devre öğe değerlerini ve uyartım parametrelerini değiştirerek I-V ve C-V karakteristikleri benzetim programı ile elde edilmiştir. Benzetim ve deneysel yöntem ile elde edilen I-V ve C-V eğrilerinin benzer olduğu gözlenmiştir. Buna dayanarak I-V ve C-V ölçümlerinden alınan deneysel veriler ile gerçek dört ayrı MOS yapının uzay yükü sığası (Csc), arayüzey sığası (Css) ve oksit direnci (Rox) 'nin olası değerleri elde edilmeye çalışılmıştır. Anahtar Kelimeler : MOS yapıları; Bilgisayar benzetimi.

I V SUMMARY AN ANALYSIS OP THE STRUCTURE OF n-GaAs ANODIC MOS, BY USING SIMULATION TECHNIQUES M.SC. Thesis In this study, we have obtained an equivalent circuit of four type MOS structures, taking experimental data by using simulation software package WPSPICE and C-V and I-V characteristics obtained by using experimental methods of n-type MOS structures with GaAs wafers. The MOS equivalent circuit model of Chih-Tang Sah (Sah C. T., 1991) was used in this computer simulation. The I-V and C-V characteristics of equivalent circuit was obtained by changing frequency parameters and circuit component values for this simulation software package. It was observed that, the agreement between experimental and simulated I-V and C-V characteristics was found to be the same. In these terms, the predicted values of space-charge capasitance, steady state capasitance and oxide resistance of four different real MOS structures were obtained by using experimental I-V and C-V data values. Key Words: MOS devices; Computer Simulation; Equivalent circuit model of MOS.