Show simple item record

dc.contributor.advisorEbeoğlu, Mehmet Ali
dc.contributor.authorDereoğlu, Abdullah A.
dc.date.accessioned2021-05-07T09:25:35Z
dc.date.available2021-05-07T09:25:35Z
dc.date.submitted1996
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/611726
dc.description.abstractIII ÖZET Yüksek Lisans Tezi n-GaAs ANODİK MOS YAPILARININ BENZETİM TEKNİKLERİ KULLANILARAK İNCELENMESİ Bu çalışmada, n-tipi GaAs yarıiletken tabanlı MOS yapılarının deneysel yöntemlerle elde edilen C-V ve I-V karakteristikleri kullanılarak benzetim programı WPSPICE ile MOS yapının eşdeğer devre modelleri elde edilmeye çalışılmıştır. Benzetim programı WPSPICE ile MOS' lar için verilen devre modellerinden Chih Tang-Sah'm önerdiği (Sah C. T., 1991) MOS eşdeğer devre modeli kullanılmıştır. Bu eşdeğer devre modelinin devre öğe değerlerini ve uyartım parametrelerini değiştirerek I-V ve C-V karakteristikleri benzetim programı ile elde edilmiştir. Benzetim ve deneysel yöntem ile elde edilen I-V ve C-V eğrilerinin benzer olduğu gözlenmiştir. Buna dayanarak I-V ve C-V ölçümlerinden alınan deneysel veriler ile gerçek dört ayrı MOS yapının uzay yükü sığası (Csc), arayüzey sığası (Css) ve oksit direnci (Rox) 'nin olası değerleri elde edilmeye çalışılmıştır. Anahtar Kelimeler : MOS yapıları; Bilgisayar benzetimi.
dc.description.abstractI V SUMMARY AN ANALYSIS OP THE STRUCTURE OF n-GaAs ANODIC MOS, BY USING SIMULATION TECHNIQUES M.SC. Thesis In this study, we have obtained an equivalent circuit of four type MOS structures, taking experimental data by using simulation software package WPSPICE and C-V and I-V characteristics obtained by using experimental methods of n-type MOS structures with GaAs wafers. The MOS equivalent circuit model of Chih-Tang Sah (Sah C. T., 1991) was used in this computer simulation. The I-V and C-V characteristics of equivalent circuit was obtained by changing frequency parameters and circuit component values for this simulation software package. It was observed that, the agreement between experimental and simulated I-V and C-V characteristics was found to be the same. In these terms, the predicted values of space-charge capasitance, steady state capasitance and oxide resistance of four different real MOS structures were obtained by using experimental I-V and C-V data values. Key Words: MOS devices; Computer Simulation; Equivalent circuit model of MOS.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.titlen-GaAs anodik MOS yapısının banzetim teknikleri kullanılarak incelenmesi
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.subject.ytmMos structure
dc.subject.ytmComputer aided simulation
dc.identifier.yokid50041
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityDUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid50041
dc.description.pages62
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess