InSe, InSe:Er ve InSe:Gd tek kristallerinde yasak enerji aralığına elektrik alanının etkisi

Abstract

ÖZET Yüksek Lisans Tezi InSe, InSe:Er ve InSe:Gd TEK KRİSTALLERİNDE YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Mutlu KUNDAKÇI Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhammet YILDIRIM Brigdman-Stockbarger metoduyla büyütülen InSe. InSe:Er ve InSe:Gd numunelerinin optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı değişimleri incelendi. Yapıya katkılanan Nadir Toprak Elementleri (NTE) bu kristallerin optiksel özelliklerini değiştirdiği gözlendi.. Soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi ve eksiton enerji seviyeleri incelenerek. Er ve Gd katkılı numunelerde soğurma eğrisinin dikleştiği tespit edildi. 300 K'de. InSe. InSe:Er ve InSe:Gd numunelerinin yasak enerji aralığı sırasıyla 1.270 eV. 1.279 eV, 1.275 eV olarak hesaplandı. 1. eksiton enerjileri InSe. InSeıEr ve InSc.Gd numunelerinde 10 K'de sırasıyla 1.336 eV, 1.337 eV, 1.336 eV olarak bulundu. Ayrıca dış elektrik alanın soğurma ölçümleri üzerine etkileri araştırıldı ve uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve soğurma pik şiddetinin ise azaldığı gözlendi. 2003, 76 sayfa Anahtar Kelimeler: III- VI Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Eksiton, Elektrik Alan

[BgaBft!*-»`-HaBaa`-? ABSTRACT Master Thesis THE ELECTRIC FIELD EFFECT ON ENERGY BAND GAP IN InSe. InSe:Er. InSerGd SINGLE CRYSTALS Mutlu KUNDAKÇI Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Asst. Prof. Dr. Muhammet YILDIRIM The optical properties of InSe. lnSe:Er and InSe:Gd crystals, which have been grown by Bridgman-Stockbarger Method, as a function of temperature were investigated. Variation of the optical properties of these crystals was observed by doping Rare Earth Elements (REE* to the structure. Absorption coefficient, changing of energy band gap with temperature, exciton energy levels were investigated and it was observed that the absorption curves were shifted up in Er and Gd doped samples. At 300 K. the energy band gap of InSe. InSe:Er. InSe:Gd were calculated to be 1.270. 1.279. 1.275 eV respectively. At 10 K. the first exciton energies were calculated in InSe. InSe:Er. InSe:Gd to be 1.736. 1.337. 1.336 eV. respectively. Also, the effects of external electric field on absorption measurements were investigated and it was seen that band gap is moved to long wavelenght and the intensity of absorption peaks is decrased. 2003, 76 pages Keywords: III-Vl Compounds, Rare Earth Elements. Absorption. Exciton, Eiectric Fieid