Show simple item record

dc.contributor.advisorYıldırım, Muhammet
dc.contributor.authorKundakçi, Mutlu
dc.date.accessioned2020-12-03T13:45:09Z
dc.date.available2020-12-03T13:45:09Z
dc.date.submitted2003
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/51222
dc.description.abstractÖZET Yüksek Lisans Tezi InSe, InSe:Er ve InSe:Gd TEK KRİSTALLERİNDE YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Mutlu KUNDAKÇI Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhammet YILDIRIM Brigdman-Stockbarger metoduyla büyütülen InSe. InSe:Er ve InSe:Gd numunelerinin optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı değişimleri incelendi. Yapıya katkılanan Nadir Toprak Elementleri (NTE) bu kristallerin optiksel özelliklerini değiştirdiği gözlendi.. Soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi ve eksiton enerji seviyeleri incelenerek. Er ve Gd katkılı numunelerde soğurma eğrisinin dikleştiği tespit edildi. 300 K'de. InSe. InSe:Er ve InSe:Gd numunelerinin yasak enerji aralığı sırasıyla 1.270 eV. 1.279 eV, 1.275 eV olarak hesaplandı. 1. eksiton enerjileri InSe. InSeıEr ve InSc.Gd numunelerinde 10 K'de sırasıyla 1.336 eV, 1.337 eV, 1.336 eV olarak bulundu. Ayrıca dış elektrik alanın soğurma ölçümleri üzerine etkileri araştırıldı ve uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve soğurma pik şiddetinin ise azaldığı gözlendi. 2003, 76 sayfa Anahtar Kelimeler: III- VI Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Eksiton, Elektrik Alan
dc.description.abstract[BgaBft!*-»`-HaBaa`-? ABSTRACT Master Thesis THE ELECTRIC FIELD EFFECT ON ENERGY BAND GAP IN InSe. InSe:Er. InSerGd SINGLE CRYSTALS Mutlu KUNDAKÇI Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Asst. Prof. Dr. Muhammet YILDIRIM The optical properties of InSe. lnSe:Er and InSe:Gd crystals, which have been grown by Bridgman-Stockbarger Method, as a function of temperature were investigated. Variation of the optical properties of these crystals was observed by doping Rare Earth Elements (REE* to the structure. Absorption coefficient, changing of energy band gap with temperature, exciton energy levels were investigated and it was observed that the absorption curves were shifted up in Er and Gd doped samples. At 300 K. the energy band gap of InSe. InSe:Er. InSe:Gd were calculated to be 1.270. 1.279. 1.275 eV respectively. At 10 K. the first exciton energies were calculated in InSe. InSe:Er. InSe:Gd to be 1.736. 1.337. 1.336 eV. respectively. Also, the effects of external electric field on absorption measurements were investigated and it was seen that band gap is moved to long wavelenght and the intensity of absorption peaks is decrased. 2003, 76 pages Keywords: III-Vl Compounds, Rare Earth Elements. Absorption. Exciton, Eiectric Fieiden_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleInSe, InSe:Er ve InSe:Gd tek kristallerinde yasak enerji aralığına elektrik alanının etkisi
dc.title.alternativeThe electric field effect on energy band gap in InSe, InSe:Er, InSe:Gd single crystals
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.subject.ytmExciton
dc.subject.ytmElectric fields
dc.subject.ytmAbsorption
dc.subject.ytmSingle crystals
dc.subject.ytmRare earth elements
dc.identifier.yokid135782
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityATATÜRK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid131470
dc.description.pages90
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess