Kuantum tellerinde yabancı atom, elektrik alan ve tel geometrisinin etkileri

Abstract

ÖZET KUANTUM TELLERİNDE YABANCI ATOM PROBLEMİ: ELEKTRİK ALAN ve TEL GEOMETRİSİNİN ETKİLERİ Mutafa ULAŞ Doktora Tezi, Fizik Bölümü Tez yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Şubat 1997, 57 sayfa Bu çalışmada, bir boyutlu yarıiletken yapıların, elektrik alan altında, altbant enerjileri hesaplandı. Çalışmanın ana temasını bir boyutlu ve yaklaşık bir boyutlu kuantum tel kuyularında yabancı atom bağlanma enerjilerini, elektrik alanın, yabancı atom pozisyonunun ve tel boyutlarının fonksiyonu olarak hesaplamaktır. Ayrıca bağlanma enerjisinin, farklı yabancı atom konumlarında elektrik alanla nasıl değiştiği ve Al konsantrasyonuna bağlılığı incelenmiştir, örnek olarak GaAs/GaAlAs yarıiletken yapısı seçilmiştir.

SUMMARY In this study, the subband energies of one dimensional semiconductors are calculated under an applied electric field. The main theme of this work İs to investigate the binding energy of an impurity in one-dimensional and quasi one- dimensional quantum wires depending on electric field, geometry, impurity position and impurity concentration. The sample semi-conductor structure is chosen to be GaAs/ GaAlAs.