Search
Now showing items 1-10 of 11
GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması
(2019-12-29)
GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen yarıiletkenlerin yapısal, morfolojik ve optiksel karakterizasyonları sırasıyla ...
Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Y. Lisans Tezi METAL/GaAs ve METAL/Y ALITKAN/GaAs SCHOTTKY Dİ YOTLARIN AKIM-KAPASİTE-GERİLİM KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ Nezir YILDIRIM Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : ...
Polipirol/P-Si/Al diyodunun karakteristik parametrelerinin zamana bağlılığı
(2018-08-06)
ÖZET Y. Lisans Tezi POLİPİROL/P-Sİ/AL DİYODUNUN KARAKTERSİSTÎK PARAMETRELERİNİN ZAMANA BAĞLILIĞI Demet KORUCU Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç.Dr.Mustafa SAĞLAM Bu tezde, [lOO] ...
Au/-Cu/n-GaAs kontaklarında anodik oksidasyon işleminin karakteristik diyot parametreleri üzerindeki etkileri
(2018-08-06)
[100] doğrultusunda büyültülmüş, 450 um kalınlığında, donor konsantrasyonu l-5xl017 cm` olan ve iki yüzü parlatılmış ?z-GaAs(:Te) yarıiletkenine farklı sürelerle anodizasyon işlemleri uygulanarak Au/fl-GaAs ve Cu/n-GaAs ...
Aynı şartlar altında hazırlanmış Au/n-Si/Au-Sb MIS Schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki ilişki
(2018-08-06)
ÖZET Yüksek Lisans Tezi AYNI ŞARTLAR ALTINDA HAZIRLANMIŞ Aıı /n-Si/Au-Sb MIS SCIIOTTKY DJYO TLARLNIN İDEALİ TL FAKTÖRLERİ İLE ENGEL YÜKSEKLİKLERİ ARASINDAKİ İLİŞKİ Fulya Esra CİMİLLİ Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri ...
İdeal ve ideal olmayan omik doğrultucu kontaklı Au/n-Si schottky diyotlarda doğru beslen kapasite-voltaj-frekans karakteristikleri
(2018-08-06)
Au/n-Si Schottky diyotların doğru beslem C-V ve C-f karakteristiklerinde artık kapasitenin (uzay yükü kapasitesine ilave olarak otrtaya çıkan) kaynağı araştırıldı. Schottky diyotlar özdirenci p=2Q-cm olan n-tipi Si kristali ...
Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
(2018-08-06)
ÖZET ı Ag//?-GaAs Schottky diyodları, rc-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Ag (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Referans numune ile MİS Schottky diyod ...
Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
(2018-08-06)
ÖZET Doktora Tezi HİDROSTATİK BASINÇ ALTINDA METAL/p-Sİ SCHOTTKY DİYODLARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONU Güven ÇANKAYA Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Nazım UÇAR Bu ...
n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Sn/n-GaAs (Te) Schottky diyotlarını elde etmek için: [100] doğrultusundan büyütülmüş, 450 //m kalınlığında, iki yüzü parlatılmış, 1-5 x /011 cm'3 taşıyıcı konsantrasyonlu n tipi GaAs yarıiletkeni kullanıldı. ...
Anodik oksidasyon metoduyla yüksek engelli ve yüzey pasivasyonlu Sn/p-Si schottky diyotlarının fabrikasyonu
(2018-08-06)
ÖZET [100] doğrultuda büyütülmüş, 200 jum kalınlıklı, 5-10 Q-cm öz dirençli ve Bor katkılı p-Si kullanarak; referans, arayüzey anodik oksit tabakalı ve anodizasyon-kimyasal muameleyle yüzey pasivasyonlu Sn/p-Si Schottky ...