n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET Sn/n-GaAs (Te) Schottky diyotlarını elde etmek için: [100] doğrultusundan büyütülmüş, 450 //m kalınlığında, iki yüzü parlatılmış, 1-5 x /011 cm'3 taşıyıcı konsantrasyonlu n tipi GaAs yarıiletkeni kullanıldı. Schottky kontak yapımından önce, yarıiletken yüzeyindeki kirliliklerin giderilmesi için sırasıyla: ultrasonik olarak trikloretilen, aseton ve metanolda temizlik, kimyasal temizlik ve deiyonize su ile bol yıkama yapıldı. Sonra numunenin bir yüzüne Au-Ge (%88,%12) alaşımıyla omik kontak yapıldı. Daha sonra, doğrultucu kontak yapmak için % 99,99 saflığında Sn, yarıiletkenin arka yüzeyine buharlaştırıldı. Buharlaştırma işlemleri 10-5 torr'da gerçekleştirildi. Sn/n-GaAs Schottky diyotlanmn akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında yapıldı. Diyotlann idealite faktörlerinin değerleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden 1,2,3 ve 4 nolu diyotlar için sırasıyla 1.07, 1.08, 1.08 ve 1.09 olarak elde edildi. Diyotlann engel yükseklikleri ters beslem C~2-V ve doğru beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. C-V karakteristiklerinden bulunan engel yüksekliklerinin I-V karakteristiklerinden bulunandan daha büyük olduğu görüldü. Ayrıca engel yükseklikleri, doğru beslem I-V karakteristiklerinin deneysel değerleri kullanılarak yüzey potansiyel- gerilim 0Fs,V) grafiklerinden de bulundu. Bu değerlerin diğer metotlarla elde edilen değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Schottky diyotlarmın frekansa bağlı C-V ölçümleri de alındı. Bu ölçümler yardımıyla arayüzey hal yoğunluk değerleri elde edildi. 11 SUMMARY In order to fabricate Schottky diodes, it was used polished (as received from manufacturer) n-GaAs (Te) semiconductor with [100] orientation, 450um in thick and having donor concentration of 1 - 5 x 1017 x cm'2. Before making contacts, the n-GaAs wafer was ultrasonically degreased into trichloroethlene, acetone and methanol for approximately 2 min, respectively, and then chemically etched with a H2SO4: H2O2: H2O (5:1:1) solution for 1 min to remove undesirable impurities on the surface of the semiconductor. Then, the samples were washed with deionized water. Au-Ge (8 8%, 12%) alloged was to the back of the samples for making ohmic contacts. The Sn/n-GaAs Schottky contact was formed by evaporating Sn. The current -voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements of Sn/n-GaAs Schottky diodes were carried out at room temperature. From the forward bias current-voltage characteristics, the values of the idealite factory of Sn/n-GaAs Schottky diodes were found to be 1.07, 1.08, 1.08 and 1.09 for the diodes 1,2,3 and 4, respectively. It was determined that the barrier heights obtained from the capacitance-voltage characteristics are greater than those of the current - voltage characteristics. Further more, the barrier heights were calculated from the surface potential-voltage curves plotted by using experimental values of the forward bias I-V characteristics. It was found that our data are agreement with those obtained with the other methods. The density distribution of interface states of the diodes was obtained from low and high frequency capacitance- voltage values.
Collections