Gözenekli silisyumun yapısal ve optiksel incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
GÖZENEKLİ SİLİSYUMUN OPTİKSEL ve YAPISAL İNCELENMESİ Ersin KAYAHAN Anahtar Kelimeler: Gözenekli Silisyum, Kimyasal Aşındırma, FTIR, SEM özet: Bu çalışmada, gelecekde özellikle optoelektronik alanda birçok uygulamaları olacağı beklenilen gözenekli silisyumun, optiksel ve yapısal özellikleri incelenmiştir. Gözenekli silisyum, hidroflorik asit, nitrik asit ve diyonize su (HF : HN03 : H20) ile hazırlanan çözeltide, silisyum pullarının kimyasal aşındırılması ile elde edilmiştir. Çözelti konsantrasyonu değiştirilerek, normal ve mor ötesi ışık altında örnek çeşitliliği arttırılmıştır. Çeşitli koşullar altında hazırlanan numuneler FTIR (Fourier Transform Infrared) spektrometresinde incelenerek, silisyuma bağlanmış atom ve atom grupları tespit edilmiştir. Ayrıca bu numuneler SEM' de (Scannig Elecktron Microscope) incelenerek gözenekli silisyumun film kalınlığı ve yüzey durumu araştırılmıştır. Elde edilen numunelerin birisi 350 ° C'ye kadar kademeli olarak ısıtılarak, sıcaklığa bağlı absorbsiyon katsayısı değişimi hesaplanmıştır. OPTICAL AND STRUCTURAL INVESTIGATION OF POROUS SILICON Ersin KAYAHAN Keywords: Porous Silicon, Chemical Etching, FTIR, SEM Abstract: In this study, optical and structural properties of porous silicon, which is expected to apply on optoelectronics in the near future, have been investigated. Porous silicon was optained from chemical etching of silicon wafers in a solution with HF, HNO3 and deionized H20. The number of sample was increased in normal and UV conditions by changing concentration of solution. Sample prepared under the various conditions were measured by FTIR (Fourier Transform Infrared ) spectrometer and then atoms and atoms groups binding to the silicon were determined. Futhermore, the samples were also investigated by SEM ( Scanning Electron Microscopy ) in order to determine film thickness and surface condition. The change in absorbtion coefficent was calculated for same samples by annealing gradually up to 350 ° C.
Collections