Show simple item record

dc.contributor.advisorBektöre, Yüksel
dc.contributor.authorKayahan, Ersin
dc.date.accessioned2020-12-29T13:15:13Z
dc.date.available2020-12-29T13:15:13Z
dc.date.submitted1997
dc.date.issued2020-12-08
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/422126
dc.description.abstractGÖZENEKLİ SİLİSYUMUN OPTİKSEL ve YAPISAL İNCELENMESİ Ersin KAYAHAN Anahtar Kelimeler: Gözenekli Silisyum, Kimyasal Aşındırma, FTIR, SEM özet: Bu çalışmada, gelecekde özellikle optoelektronik alanda birçok uygulamaları olacağı beklenilen gözenekli silisyumun, optiksel ve yapısal özellikleri incelenmiştir. Gözenekli silisyum, hidroflorik asit, nitrik asit ve diyonize su (HF : HN03 : H20) ile hazırlanan çözeltide, silisyum pullarının kimyasal aşındırılması ile elde edilmiştir. Çözelti konsantrasyonu değiştirilerek, normal ve mor ötesi ışık altında örnek çeşitliliği arttırılmıştır. Çeşitli koşullar altında hazırlanan numuneler FTIR (Fourier Transform Infrared) spektrometresinde incelenerek, silisyuma bağlanmış atom ve atom grupları tespit edilmiştir. Ayrıca bu numuneler SEM' de (Scannig Elecktron Microscope) incelenerek gözenekli silisyumun film kalınlığı ve yüzey durumu araştırılmıştır. Elde edilen numunelerin birisi 350 ° C'ye kadar kademeli olarak ısıtılarak, sıcaklığa bağlı absorbsiyon katsayısı değişimi hesaplanmıştır.
dc.description.abstractOPTICAL AND STRUCTURAL INVESTIGATION OF POROUS SILICON Ersin KAYAHAN Keywords: Porous Silicon, Chemical Etching, FTIR, SEM Abstract: In this study, optical and structural properties of porous silicon, which is expected to apply on optoelectronics in the near future, have been investigated. Porous silicon was optained from chemical etching of silicon wafers in a solution with HF, HNO3 and deionized H20. The number of sample was increased in normal and UV conditions by changing concentration of solution. Sample prepared under the various conditions were measured by FTIR (Fourier Transform Infrared ) spectrometer and then atoms and atoms groups binding to the silicon were determined. Futhermore, the samples were also investigated by SEM ( Scanning Electron Microscopy ) in order to determine film thickness and surface condition. The change in absorbtion coefficent was calculated for same samples by annealing gradually up to 350 ° C.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleGözenekli silisyumun yapısal ve optiksel incelenmesi
dc.title.alternativeOptical and structural investigation of porous silicon
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2020-12-08
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.subject.ytmPorous medium
dc.subject.ytmSilicon
dc.identifier.yokid67093
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid67093
dc.description.pages82
dc.publisher.disciplineKatıhal Fiziği Bilim Dalı


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess