GaAs/GaAlAs kuantum kuyusu
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada, düzgün elektrik alanın simetrik GaAs/AlAs ve GaAs/Ga0,7Al0,3As kuantum kuyularında donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğuna etkisi hesaplanmıştır. Hesaplar etkin kütle yaklaşımıyla varyasyonel yöntemle yapılmıştır. Donor bağlanma enerjisi ve durum yoğunluğu ile ilgili sonuçlar kuyu genişliği ve elektrik alanın fonksiyonu olarak verilmiştir. In this work ,the influence of an uniform electric field on the donor binding energy and density of state in single symetric GaAs/AlAs and GaAs/Ga0,7 Al0,3As quantum wells have been calculated. The calculations have been performed using a variational prosedure within the effective ?mass approximation. The results for the binding energies and the density of states as functions as well thicknesses , and electric field have been reported.
Collections