Hacimli halkojenür camlarının elektriksel iletim özellikleri

Abstract

ÖZET Bu çalışmada hacimli halkojenür camlarmdaki elekt riksel iletim incelenmiştir. AspTe,, As20Se40^e40 ve (As2Se,)g0SboQ örneklerine 10 - 10^ V/cm basamağında elektrik alanları uygulanmış ve farklı sıcaklıklarda ör neklerin d.c iletkenlikleri.ölçülmüştür. Genel olarak, iletkenlik o = C exp ( - E / kT ) tipinde üstel bir sıcaklık bağımlılığı göstermektedir. Sonuçların, Davis - Mott ta rafından bulunan yukarıdaki bağıntıya göre değerlendiril mesi; oda sıcaklığı üzerinde yaygın durum iletiminin bas kın olduğunu gösterir. AspoSe4-0Te4-0 caffilnâa *se -^0°C dolayında hoplama iletimine geçiş gözlenmiştir. o Bazı örneklerin farklı sıcaklıklarda, 10 Hz ve İCr Kz arasındaki frekans aralığında a.c iletkenliği ölçülmüştür. Bulunan sonuçlar iletkenliğin; biri frekansa bağlı olmayan, diğeri uygulanan alanın frekansı ile tos ( srv-/0.9 ) şeklinde değişen iki bileşene sahip olduğunu göstermektedir. Deney sonuçları; d.c ve a.c iletken- likliklerinin farklı mekanizmalara dayandığını kabul eden CBH ( Classical Barrier Hopping) iletkenlik modeli ile uyum halindedir. Son olarak ?A-s2oSe40^e40 örneklerinin ardışık tavlama eğrileri bulunmuştur. Bu eğrilere göre tavlama işlemi, tavlama süre ve sıcaklığına bağlı olarak, alçak sıcaklıklardaki iletkenlik davranışının değişmesine ne den olmaktadır. III

SUMMAHT We have studied electrical conduction in bulk chalco- genide glasses. AspTe,, Asp^Se^Te^Q and (As2Se3^80St>20 samples have been subjected to electric fields of the order of 10 -Wr V/cm and their d.c conductivites were measured at different temperatures. Generally, the conductivity shows an exponential relation to the temperature.of type a = C exp ( - E / VT ).An application of the results to the above relation derived by Davis-Mott indicates a dominance of extended stete conduction above room temperature, while a transition to hopping conduction is observed at about- 40UC m As2QSe^QTe^Q. A.C conductivity of the same.samples were measured at various temperatures, in the frequencies range between 10 Hz and KKHz.The results suggest that the conductivity was two components, one being independent of frequency and the other varying as <ds ( s ~ 0.9 ) with the frequency of the applied field. The experimentel results are in agreement with the Classical Barrier Hopping conductivity model assuming different mechanisms for the d.c and a.c conductivities. Finally successive annealing of the AspQ^e^QTe^Q samples show a change in the conductivity behavior at low temperatures depending on annealing duration and temperature. IV