y-ışınlarının Cu-GaAs eklemlerin elektriksel karakteristiklerine etkisi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET y-ışınları ile ışınlanmış monokristalik n-tipi GaAs'in ve Cu-GaAs yapıların elektrik, optik, fotovoltaik ve kapasitans karakteristikleri incelendi. Cu-GaAs Schottky diyotları, Cu ince filminin n-tipi GaAs altlık üzerine vakum ortamında buharlaştırılması ile hazırlandı. Cu-GaAs diyotlar ve GaAs altlıklar Co kaynağından yayımlanan y-ışınlarına ( E=l,17 ve 1,33 MeV, D=l,6 xl06 Rad) maruz bırakıldılar, y-ışınlamadan önce ve sonra GaAs'in ve Cu-GaAs diyotların elektrik, optik, fotovoltaik ve kapasitans özellikleri incelendi. 50-300 °C aralığındaki tavlamanın GaAs'in özelliklerine etkisi araştırıldı. Cu-GaAs diyotların doğrultucu ve fotovoltaik parametrelerine y-ışınlamanın belirgin etkisi gösterildi. Doğrultucu katsayısı (k) ve açık devre geriliminin (Voc) ( önce = 6,03 xl04, VOC=230 mV) y-ışmlamadan sonra (k = 1,4 xl05, Voc=386 mV) iyileştiği görüldü. GaAs ve Cu-GaAs diyot yapıların elektrik, optik ve fotovoltaik karakteristiklerindeki y- uyanlmış değişimlerin deneysel sonuçları, rekombinasyon merkezleri gibi davranan noktasal kusurların oluşumu ile ilgili model temelinde tartışıldı. Ayrıca dış de elektrik alanın GaAs p-n eklemlerin elektrik, kapasitans ve fotovoltaik özelliklerine etkisi araştırıldı. Ters yönlü elektrik alan uygulamasının, p-n eklemlerin fotovoltaik parametrelerini doğru yönlü elektrik alana göre iyileştirdiği gösterildi. Bu sonuçlar yüklü bakır iyonlarının GaAs'da elektrouyarılmış difüzyonuna bağlıdır. ıx ABSTRACT Electrical, optical, photovoltaic and capacitance characteristics of n-type monocrystalline GaAs and Cu-GaAs structures exposed to y-irradiation are investigated. Cu-GaAs Schottky diodes are prepared by vacuum evaporation of Cu thin film on the n- type GaAs substrates. Cu-GaAs diodes and GaAs substrates are exposed to y-rays emitted from W)Co source (E=1.17 and 1.33 MeV). Electrical, optical, photovoltaic and capacitance properties of GaAs and Cu-GaAs diodes are examined before and after y-irradiation. Effect of annealing, in the range of 50-300 °C, on the properties of GaAs is investigated. Effect of y-irradiation on the rectifying and photovoltaic parameters of Cu-GaAs junctions is shown clearly. Improvements of rectifying coefficient (k) and open circuit voltage (Voc) (before k = 6,03 xlO4, VOC=230 mV) after (k = 1,4 xlO5, Voc=386 mV) y-irradiation are discovered. Experimental results on y-stimulated changes of electrical, optical and photovoltaic characteristics of GaAs and Cu-GaAs diode structures are discussed on the basis of model related with formation of the point defects presenting the recombination centers. Effect of external dc electric field on electrical, capacitance and photovoltaic characteristics of GaAs p-n junctions are also investigated. It is shown that application of reverse electric field results in improvement of the photovoltaic parameters of p-n junctions in compared with action of the forward electric field. These data are interprated by electrostimulated diffusion of charged copper ions in GaAs.
Collections