Metal-CuInSe2 eklemlerin elektrik özelliklerinin incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET Güneş pili yapımında kullanılan metal-CuInSe2 eklemlerin elektriksel özellikleri incelendi. Polikristal olarak elde edilen p-CuInSe2 yarıiletkeni tek kaynaktan buharlaştırma /c selenleştirme yöntemleriyle cam üzerine (slum kalınlıklı) ince film olarak kaplandı. Elde edilen ince filmlerin kristal yapılan XID yöntemiyle incelendi. CIS tek kristallerinin çoğunun (112) düzlemine yönelmiş oldukları görüldü. Hacimsel p-CuInSe2 yarıiletkenin iletkenlik sıcaklık ölçümlerinden yasak enerji aralığı l,03eV olarak bulundu. İnce film p-CuInSe2 yarıiletkenine Ag, Mo, Ni, in, In/Ga metalleriyle kontak yapılarak bu kontakların akım-gerilim karakteristikleri incelendi ve Ni metal kontağın omik karakteristiği ve düşük direnç özelliği gösterdiği anlaşıldı. Molibdenin, p-CuInSe2 ince filmi içine difüzyonu incelendi 430°C de lOdk. tavlama verilen CuInSe2 filmine molibdenin difuzyon katsayısı 2,1x1 0`I2cm2/s olarak bulundu ve 240-520`C arasında difuzyon katsayıları ölçümleri sonucunda molibdenin 0.53eVluk aktivasyon enerjisine sahip olduğu gözlemlendi. İletkenlik-tavlama zamanı ölçümlerinden 24ü`C için molibdenin CuInSe2 filmi içine difuzyon katsayısı l,3xl0`13 cm2/s olarak ölçüldü. p-tipi CuInSe2 filme difuzyon ile katlı yapılmış Mo atomlarının, filmin iletkenliğini artırdığı gözlendi diğer taraftan Mo katkının CuInSe2 filmlerde yeni bir ilave akseptör enerji düzeyi oluşturmadığı görüldü. Anahtar Kelimeler : CuInSe2, Omik Kontak, İnce Film. Molibden-CIS. Difuzyon. Metal-CIS vııı ABSTRACT Electrical properties of metal-CuInSe2 structures which are used as a solar cell material, were investigated. Polycrystal CuInSe2 semiconductors are evaporated on glass (slum thicness) by single source evaporation and selenization method. XRD measurements on CuInSe2 film showed thai mono crystals in film preferently oriented along (112) planes. Band gap of CuInSe2 semiconductor l,03eV was measured by the method of conductivity- annealing temperature experiments on bulk CuInSe2 crystal. J-V characteristics of Ag, Mo, Ni, In,In/Ga metal contacts on same CuInSe2 film were investigated and measurements showed that Ni metal contacts has ohmic character and lower resistivity than the other metals contacted. Mo diffusion in CuInSe2 film are investigated at annealing temperature 430°C and in the annealing time lOmin. The Diffussion coefficient of Mo into CIS film. 2JxlO`l_cm2/s was measured at this temperature. In series measurements on diffusion coefficient of Mo into CuInSe2 film at temperature range (240-520°C) showed that Mo has 0,53eV activation energy. On the other hand conductivity-annealing time measurements showed that (at 240°C) Mo diffusion coefficient in CuInSe2 film was l,3xl0`13cm2/s Molibden dope in CuInSe2 film increased the conductivity of the film on the other hand there were no additional acceptor levels measured due to Mo dope. Keywords : CuInSe2, Ohmic Contact, Thin Film, Molybdenum-CIS, Difüssion, Metal-CIS IX
Collections