Çözelti içinde büyütme tekniği ile CdS ince film kaplama oluşturulması; yapısal ve optiksel özellikler
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZETBu çalışmada Çözeltiden Büyütme Tekniği (Kimyasal Buhar Banyosu Tekniği- CBD)kullanılarak cam altlıklar üzerinde ince film CdS numuneler hazırlanmıştır. CBD tekniği ucuzve kolay bir yöntem olup CdS yarıiletkeninin üretilmesi için en uygun yöntemlerden biridir.Güneş pilleri için gerekli bir yüzey, ince film ile bu yöntem vasıtasıyla kaplanabilmektedir.Çözeltiden büyütme tekniği kullanılarak güneş pillerinde kullanılabilecek ince film II-VIyarıiletken (nano) yapılar düşük maliyetli olarak üretilebilirler.İnce film CdS malzemenin hazırlanması sırasında ilk 15 dakika içinde çözeltinin portakalrengini alması, kolloid CdS parçacıklarının oluştuğunun bir göstergesi olabileceğidüşünülmektedir. İlk 15 dakika sonrası çekirdekleşmiş kolloid yapıların iyi tutunmayantozumsu bir şekilde cama yapıştığı ve filmin kalitesini düşürdüğü gözlemlenmiştir.Optik soğurma spektrumları alınmış ve filmlerin yasak enerji kuşak aralığı tespit edilmiştir.X-ışınları kırınım ölçümleri alınmış ve spektrumların modellenmesi ile kristal yapıbelirlenmiştir. ABSTRACTIn this work, CdS thin films were covered on glass substrates by using Solution GrowthTechnique. Solution Growth Technique ( Chemical Bath Deposition-CBD ) which is one ofthe best methods to produce CdS semiconductor is an inexpensive and easy method. At thesame time, a surface which is necessray for solar cells can be covered by using CBDtechnique. Thin film II-VI semiconductor (nano)structures which will be used in solar cellscan be produced by using this technique in low cost.The colour of the solution turns in to orange from yellow colour within 15 minute during thepreperation of CdS thin film material. Change in colour of the solution can be evaluated as asign of producing colloidal CdS particles. After first 15 minutes, it was observed thatnucleated colloid particles were covered on glass substrates which are less adherent, morepowdery and quality of thin film was decreased.After covering, optical absorbtion spectrums were taken and the band gap energy wasdetermined. X-rays diffraction measurements were taken and crystal structure was determinedby modelling of the spectrums.
Collections