Farklı kalınlıklarda Cbd ile üretilen Cds ince filmlerinin karakterizasyonu

Abstract

Kadmiyum Sülfür (CdS) ince filmleri Kimyasal Depolama Yöntemi ile 80 °C sıcaklıkta camalttabanlar üzerine depolanmıştır. Kadmiyum sülfat hidrat ve thiourea sulu solüsyonları sırasıylaCd+2 ve S‐2 iyon kaynağı olarak kullanıldı. Reaksiyon sırasında, amonyak (NH3H2O) solüsyonun pHdeğerini kontrol için kullanıldı. Bu filmlerin optiksel, yapısal ve elektriksel özellikleri ile farklı sıcaklıklarda hava ve azot ortamında tavlamanın etkisi X‐ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), X‐ışını enerji dağınımı (EDX), 4'lü prop ve Hall ölçüm metodu kullanılarak belirlenmiştir. Farklı kalınlıklarda üretilen CdS ince filmlerinde, tavlama sıcaklığının artması ile tanecik büyüklüğünün arttığı gözlemlenmiştir. Optiksel metot kullanılarak ince filmlerin yasak enerji aralığı (Eg) hesaplandı. Farklı kalınlıklarda üretilen CdS ince filmleri; 300 °C, 450 °C sıcaklıkta hava ve azot ortamında tavlandı. Tavlama sıcaklığının artması ile filmlerin Eg'nin azaldığı gözlenmiştir. Farklı ortamlarda tavlanan CdS ince filmlerinin optiksel, yapısal ve elektriksel özellikleri karşılaştırmalı olarak verilmiştir.

Cadmium sulfide (CdS) thin films were grown on glass substrates at 80 °C using chemicalbath deposition method (CBD). Aqueus solutions such as cadmium sulfate hydrate and thiourea wereused as sources of Cd+2 and S‐2 ions, respectively. During the reactions, ammonia was used tocontrol the pH value of solutions. The morphological, structural and optical properties of the CdSfilms and annealing effects in air and nitrogen atmospheres at various temperature wereinvestigated using Scanning electron microscope (SEM), X‐ray diffraction (XRD), Hall effect, Fourprobe and UV‐vis spectrophotometer, respectively. The crystallite sizes of CdS thin filmsproduced at different thicknesses were found to increase with annealing temperature. Opticalmethod was used to determine the optical band gap of the films. CdS thin films produced atdifferent thicknesses were annealed in air and nitrogen atmosphere at 300 °C and 450 °C. Theband gap were found to decrease with increasing annealing temperature. The morphological,structural and optical properties of CdS thin films annealed in different atmospheres werecompared with each other.