Yarıiletkenler ve n-tipi Ge yarıiletkende taşıyıcı yük yoğunluğunun tayini
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
öz Yarıiletkenlerin genel yapısı ve ilgili teoriler ile p-ü ekleminin yapısı verildi. Kesit almak suretiyle elde edilen germanyum kristali üzerinde Hail deneyi gerçekleştirildi ve Hail gerilimi ölçüldü. Hail gerilimi kullanılarak germanyum kristalinin n-tipi olduğu tesbit edildi. Bu ölçümlerden faydalanarak, Hail katsayısı bulundu ve buradan hareketle taşıyıcı yük yoğunluğu (n) tayin edildi. Germanyumun yapısı, özellikleri ve n-tipi germanyumun taşıyıcı yoğunluğu ile ilgili yapılan çalışmalar verildi. Teori ile deneyin uygunluğu gösterildi. m ABSTRACT General behaviour of semiconductors, related theories and also formation of a p-n junction was explained. Hall effect measurements were performed on germanium crystal by means of Hall samples. From Hall effect measurements germanium crystal was found to be n-type and then electron density (n-type) was calculated electronic properties. Briefly the electronic properties of germanium, investigated and it is shown that the experimental results is consistent with the theory. TV
Collections