Altıgen ve kübik galyum nitrür ince tabakalarının raman özellikleri

Abstract

ALTIGEN VE KÜBİK GALYUM NİTRÜR İNCE TABAKALARININ RAMAN ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yeşim TAN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2003 ÖZET Bu çalışmada, lll-V yarıiletkenlerden olan GaN üst tabakasının birinci mertebe Raman saçılımı için, altıgen ve kübik politipleri karakterize edilmiş ve karşılaştırmıştır. Oda sıcaklığında, farklı geometrilerde GaAs alt tabakaları üzerindeki katkısız ve p-tipi katkılı a-GaN ile katkısız (3-GaN üst tabakalarının titreşimsel özellikleri Raman spektroskopisi ile incelenmiştir. GaAs(001), GaAs(111)A ve GaAs(111)B alt tabakaları üzerine büyültülmüş altıgen ve kübik yapılı GaN üst tabakalarının spektrumlarında, tüm izinli Raman aktif fonon frekansları gözlenmiştir. Farklı örneklerde, kübik GaN' in T2 enine optik (TO) ve boyuna optik (LO) frekansları, altıgen GaN' in E2(düşük), Aı(TO), E^TO), E2(yüksek), Aı(LO), Eı(LO) frekansları kadar iyi belirlenmiştir. Fonon frekanslarının ölçülen değerleri, yapılan diğer çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Bilim Kodu : 223. 23 Anahtar Kelimeler : Raman spektroskopisi, Stokes ve anti-Stokes saçılımı, yarıiletken, altıgen GaN, kübik GaN, Brillouin bölgesi Sayfa Adedi : 76 Tez Yöneticisi : Yrd.Doç.Dr. M. Mahir BÜLBÜL

THE RAMAN PROPERTIES OF WURTZITE AND ZINC-BLENDE GALLIUM NITRIDE THİN EPILAYERS (M. Sc. Thesis) Yeşim TAN GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 2003 ABSTRACT In this work, the wurtzite and zinc-blende polytypes of lll-V semiconductor GaN epilayers have characterised and compared for first-order Raman scattering. The vibrational properties of undoped, p- doped a-Gan and undoped P-GaN epilayers on GaAs substrates have been investigated at room temperature in different geometries by Raman spectroscopy. All of the allowed Raman active phonon frequencies have observed in spectra of wurtzite and zinc-blende structures GaN epilayers grown on GaAs(001), GaAs(111)A and GaAs(111)B substrates. The T2 transverse optical (TO) and longitudinal optical (LO) frequencies of zinc-blende GaN are determined, as well as the E2(iow), AifTO), E^TO), E2(high), A^LO), E^LO) frequencies of wurtzite GaN in different samples. The measured values of the phonon frequencies are compared with other studies. Science Code : 223. 23 Key Words : Raman spectroscopy, Stokes and anti-Stokes scattering, semiconductor, wurtzite GaN, zinc- blende GaN, Brillouin zone Page Number : 76 Adviser : Asis. Prof. Dr. M. Mahir BÜLBÜL