Metal-yarıiletken kontaklarda Schottky engelinin sığa özellikleri
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300 µm kalınlığında, kükürt(S) katkılı, n tipiGaP kullanılarak metal buharlaştırma metodu ile Au/n-GaP Schottky diyotlarıhazırlandı. Bu diyotların 80-375 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklarda akım-gerilim(I-V) ve sığa-gerilim(C-V) ölçümleri yapıldı. Elde edilen verilerdenSchottky engel yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç ve diğer bazı diyotparametreleri hesaplandı. Arayüzeydeki engel yüksekliklerininhomojensizliğinden dolayı Gauss dağılımına sahip olduğu gözlendi. Gaussdağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapma değerleri sırasıyla0,96 eV ve 0,0998 V olarak elde edildi. Deneysel I-V verilerinden sıcaklığınartmasıyla engel yüksekliğinde artış ve idealite faktöründe ise azalma olduğubelirlendi.Tünelleme faktörünün akım iletiminde etkin olduğu gözlendi. C-Völçümlerinden ise sıcaklık artarken engel yüksekliğinin azaldığı görüldü. In this study; We have prepared Au/n-GaP Schottky diodes in the (100)orientation, with the thickness of 300µm, S-doped obtained by metalevaporating system. Both current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristic were measured in the temperature ranges of 80-375K. Theevaluation of the experimental data , barrier height of the Schottky diodesand ideality factory, series resistance were calculated. Due to inhomogeneities of barrier height at the interface observed Gaussiandistribution. The mean barrier height and standard deviation valueobtained from the Gaussian distribution are 0.96 eV, 0.0998V, respectively.From the evaluation of the experimental I-V data, the barrier heightincreased and ideality factory decreased with increasing temperature.Tunnelling factory were obtained effected the current transport atinterface. Barrier height is founded decreasing with increasingtemperature from the C-V measurement.
Collections