III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalısmada (1x1) Si (110) yüzeyi ve üzerine kaplanan GaAs'in yapısal veelektronik incelemesi CASTEP yazılımı kullanılarak gerçeklestirildi.Hesaplamalarda kullanılan parametreler Si ve GaAs yığın kristallerininsistematik optimizasyonları ile elde edildi. Parametre belirleme çalısmasıardından 7 katman içeren, tabanı H ile etkisizlestirilmis, 10 Å vakum içeren(1x1) Si(110) 180 eV kesim enerjisinde geometri optimizasyonuna bırakıldı.Hesaplama sonucunda ortaya çıkan yapısal değisimler ve enerji bant diyagramıincelendi. Yedi katman Si(110) içeren yapıya, 10 Å vakum katmanı sabitkalacak sekilde 1, 2 ve 3 katman GaAs kaplandı. Geometri optimizasyonusonrası olusan yapılanma ve enerji bant yapısı incelendi. Hesaplama sonrasıenerji bant semasında 0,5 - 0,7 eV aralığında doğrudan geçisli enerji aralıklarıtespit edildi.Anahtar Kelimeler : Silikon, III-V, yarıiletken, CASTEP, DFT, yüzey In this work, Structural and electronic properties of both clean and GaAscoated surfaces of (1x1) Si(110) had been investigated by using CASTEPsoftware. Parameters which have been used in calculations investigated bymaking systematic series of optimizations on Si and GaAs bulk crystals. After adecision on parameters, a structure of (1x1) Si(110); which has 7 layers ofsilicon, a bottom layer which is passivized by hydrogens and with 10 Å vacuumregion on top had been given to a geometry optimization with 180 eV of cut-offenergy. Structural changes and energy band diagram had been examined by theresults. By holding 10 Å vaccum region constant, 1, 2 and 3 layers of GaAs hadbeen coated over this structure. Geometric formation and energy banddiagrams had been examined after a geometry optimization calculation. Aftercalculation, direct energy gaps had been found by values in range 0,5 - 0,7 eVKey Words : Silicon, III-V semiconductor, CASTEP, DFT, surface
Collections