III-V yariiletken yüzeylerine atom tutunmasinin yapisal ve elektronik özellikleri
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada, bazı III-V(001) yüzeylerinin atomik ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan ab initio metodla hesaplandı. İlgili yüzeylerin kararlı bulunan yapıları için ayrıntılı olarak bant yapıları, kimyasal bağ yapıları ve bazı önemli parametreleri hesaplandı. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla kıyaslandı. In this work, atomic and electronic structure of some III-V(001) compound semiconductores are calculated by using ab initio calculations and density functional theory. The relaxed geometries are obtained and the key structural parameters are listed. We have also calculated the band structures and chemical bonds for stable structures. The results are compared to other experimental and theoretical results.
Collections