Gan yarıiletkeninde kusurlar ve kusurların etkisi: yoğunluk fonksiyoneli teorisi (YFT) hesaplamaları
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu tezde, boşluk ve katkı atomları içeren zinck- blend GaN yarıiletkenin yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyon teorisi (YFT) hesaplamaları yapılarak belirlendi. Boşluk ve katkı konsantrasyonu ile GaN da yasak enerji aralığı ve durum yoğunluğu değişimleri YFT'yi temel alan CASTEP paket programı kullanılarak hesaplandı. Simülasyonlarda Perdew, Burke ve Ernzerhof (PBE) tarafından verilen Exchange (değiş tokuş) korelasyon fonksiyonları genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GEY) kullanıldı. Elektron-iyon etkileşmeleri için ultrasoft sözde potansiyel seçildi. Simülasyonlar sonuçunda boşluk, Mg ve Ge safsızlıkları atomları için yasak enerji aralığının değiştiği görüldü. Diğer taraftan Mg ve Ge konsantrasyonları için yasak enerji aralığı ve örgü parametresinin değişimlerini tanımlayan bowing parametreleri elde edildi. In this thesis, we predict the structural end electronic properties of GaN (zinc-blend) semi conductor including vacancy and impurity atoms by first principle density functinal theory (DFT) calculations. The band gap and density of state variation with concentrations of impurity and vacancy in GaN are performed using the CASTEP program package which is DFT code, operating in a plane- wave basis set in the simulations, the generalized gradient appraximation (GGA) is used with the excharge correlation potential by Perdew and Burke and Ernzerhof (PBE). The electron-ion interaction was considered in the ultrasoft pseudopotential. I was found that band gap modifications occur for vacancy, Mg and Ge impurity atoms. In the other hand, the bowing parameters which was determining the variations of band gap and lattice parameter for the Mg and Ge concentrations are estimated.
Collections