V2O5 ince filmlerin Si alttaş üzerine büyütülmesi ve sıcaklığın film karakterleri üzerine etkisinin incelenmesi

Abstract

Bu tez çalışmasında; V2O5 ince filmler Si alttaş üzerine farklı alttaş sıcaklıklarında RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak büyütüldü. Büyütülen ince filmler farklı sıcaklık değerlerinde tavlandı. V2O5 ince filmlerin yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri X-Işını Kırınım (XRD), Fourier Dönüşümlü Kızılötesi (FTIR), Atomik Force Mikroskop (AFM) ve Hall analiz teknikleri kullanılarak belirlendi. İnce filmlerdeki kristal oluşumu ve kristal kaliteleri XRD ile, kimyasal bağ yapısı FTIR spektrometre ile, yüzey morfolojisi ise AFM ile belirlendi. Elde edilen ölçüm sonuçlarından, filmlerin kristal kalitesinin artan alttaş sıcaklığı ile arttığı bulundu. Ayrıca, ince filmlerin yüzey pürüzlülüğü artan tavlama sıcaklığı ile arttığı bulundu. Hall analizleri incelendiğinde, özdirencin artan film sıcaklığı ile özdirencin azaldığı gözlendi.

In this thesis; V2O5 thin films were produced on Si subsrate by using RF magnetron sputtering technique at different subsrate temperatures. The produced thin films were annealed at different temperature values. The structural, morphological, optical and electrical properties of V2O5 thin films were determined using X-Ray Diffraction (XRD), Fourier Transformed Infrared (FTIR), Atomic Force Microscope (AFM) and Hall analysis techniques. Crystal formation and crystal quality in thin films were determined by XRD, chemical bond structure was determined by FTIR spectrometer and surface morphology by AFM. From the measurement results obtained, it was found that the crystal quality of the films was increased with increasing subsrate temperature. Morever, it was found that the surface roughness of the thin films increased with increasing annealing temperature. When the Hall analysis was examined, it was observed that the resistivity decreased with increasing film temperature.