Kane tipi yarıiletken kuantum noktalarında tünel olayı

Abstract

KANE T P YARI LETKENKUANTUM NOKTALARINDA TÜNEL OLAYISerdar TEZKane tipli yarıiletken kuantum noktalarında tünel olayı teorik olarak tanımlandı.Küresel basamak potansiyeli için üç band yaklaşımının uygulanması ile tek ve çiftdurumların direnci R ve geçme olasılığı T` nin analitik ifadeleri elde edildi. DirençLandauer formülünün kullanılması ile hesaplandı. Bir band modelinden farklı olarak,bariyer uzunluğu V â â olduğu zaman, geçme olasılığı T'nin sonlu bir değere sahipolduğu gösterilmiştir.ANAHTAR KEL MELER: Kane tipli yarıiletken, tünel olayı, kuantum noktası

TUNEL EFFECT N KANE TYPESEM CONDUCTOR QUANTUM DOTSSerdar TEZThe theoretical treatment of the tunneling process in Kane type spherical quantum dots isdescribed. The analytical expressions for transmission probabilities T and resistance R of oddand even states are obtained using the three band approximation for spherical step potential.Resistance is calculated by using the Landauer formula. It?s shown that the transmissionprobability T has a finite value when the barrier height tends to infinity V â â , which isdifferent from the one-bant model.KEY WORDS: Kane type semiconductor, tunneling process, quantum dots