Kane tipi yarıiletken kuantum noktalarında tünel olayı
| dc.contributor.advisor | Babayev, Arif | |
| dc.contributor.author | Tez, Serdar | |
| dc.date.accessioned | 2020-12-10T12:30:20Z | |
| dc.date.available | 2020-12-10T12:30:20Z | |
| dc.date.submitted | 2006 | |
| dc.date.issued | 2018-08-06 | |
| dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/287688 | |
| dc.description.abstract | KANE T P YARI LETKENKUANTUM NOKTALARINDA TÜNEL OLAYISerdar TEZKane tipli yarıiletken kuantum noktalarında tünel olayı teorik olarak tanımlandı.Küresel basamak potansiyeli için üç band yaklaşımının uygulanması ile tek ve çiftdurumların direnci R ve geçme olasılığı T` nin analitik ifadeleri elde edildi. DirençLandauer formülünün kullanılması ile hesaplandı. Bir band modelinden farklı olarak,bariyer uzunluğu V â â olduğu zaman, geçme olasılığı T'nin sonlu bir değere sahipolduğu gösterilmiştir.ANAHTAR KEL MELER: Kane tipli yarıiletken, tünel olayı, kuantum noktası | |
| dc.description.abstract | TUNEL EFFECT N KANE TYPESEM CONDUCTOR QUANTUM DOTSSerdar TEZThe theoretical treatment of the tunneling process in Kane type spherical quantum dots isdescribed. The analytical expressions for transmission probabilities T and resistance R of oddand even states are obtained using the three band approximation for spherical step potential.Resistance is calculated by using the Landauer formula. It?s shown that the transmissionprobability T has a finite value when the barrier height tends to infinity V â â , which isdifferent from the one-bant model.KEY WORDS: Kane type semiconductor, tunneling process, quantum dots | en_US |
| dc.language | Turkish | |
| dc.language.iso | tr | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
| dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
| dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
| dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
| dc.title | Kane tipi yarıiletken kuantum noktalarında tünel olayı | |
| dc.title.alternative | Tunel effect in Kane type semiconductor quantum dots | |
| dc.type | masterThesis | |
| dc.date.updated | 2018-08-06 | |
| dc.contributor.department | Fizik Anabilim Dalı | |
| dc.identifier.yokid | 183657 | |
| dc.publisher.institute | Fen Bilimleri Enstitüsü | |
| dc.publisher.university | SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ | |
| dc.identifier.thesisid | 185550 | |
| dc.description.pages | 56 | |
| dc.publisher.discipline | Diğer |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess