Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile üretilen yarıiletken zns ince filmlerin karakterizasyonu

Abstract

Çinko sülfit (ZnS), güneş pillerinde kullanım için uygun olan 3,5-3,7 eV arasında geniş bir yasak enerji aralığına sahip önemli bir inorganik yarı iletkendir. ZnS ince filmler, insan vücudu için toksik değildir ve içeriğinde bulunan elementler çok ucuz ve bol miktarda bulunur. Geniş alanlara kaplama özelliği ve ekonomik olmasından dolayı yarıiletken ince filmlerin elektrokimyasal olarak biriktirilmesi gün geçtikçe popüler olmaktadır. ZnS ince filmler, basit üç elektrotlu sistem ve sulu çinko klorür ve sodyum tiyosülfat çözeltileri kullanılarak oda sıcaklığında elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile iletken cam altlık üzerine biriktirildi. NaCl ile ZnS / iyonik çözeltinin Mott-Schottky (Ag / AgCl'a karşı 1 / C2) analizi, 100 Hz'de sabit bir frekansta, 10 mV'lik bir AC genliğinde gerçekleştirildi. Düz bant potansiyeli ve taşıyıcı konsantrasyonu, C-V ölçümleriyle hesaplandı.

Zinc sulfide, is an important inorganic semiconductor with a wide bang gap ranging from 3.5-3.7 eV which is suitable for applications in solar cells. ZnS thin films are nontoxic to human body, very cheap and abundant. The semiconductor thin film deposition from aqueous solution becomes increasingly popular because it has advantages of economical and capability of large area deposition. Zinc sulfide thin films have been deposited onto indium tin oxide glass substrate by electrodeposition method at room temperature using a simple three-electrode system and aqueous solutions of zinc chloride and sodium thiosulfate solutions. Mott-Schottky (1/C2 vs Ag/AgClsat.) analysis of ZnS/ionic solution with NaCl were carried out at an AC amplitude of 10 mV at a constant frequency at 100 Hz. The flat band potential and carrier concentration are estimated by C-V measurements.