Sol-jel metodu ile manyetik film yapımı ve karakterizasyonunun incelenmesi

Abstract

Sol-gel daldırma metodu kullanılarak, manyetik LCMO, LBMO ve LSMO incefilmleri pyrex ve quartz cam üzerine ilk kez üretildi. Tavlama sıcaklığı, ortamınoksijen miktarı ve numune kalınlığından dolayı X-ray sonuçları, farklı şiddette piklergösterdi. Nitratlı bileşikler kullanılarak yapılan LCMO ve LSMO bileşiklerinin TC,TMI, %MR (LCMO için TC=80 K, TMI=77.5K, %MR=%780 100K'de ve LSMO içinTC=86 K, TMI=112K, %MR=%143 100K'de) değerleri ve sem resimleri birbirineyakın alınmasına rağmen, Ba isopropoxide kullanılarak yapılan LBMO, için farklıTC, TMI, %MR(TC=130 K, TMI=137K, %MR=%260) değerleri ve sem resimlerialındı. Düşük sıcaklıklarda direncin yeniden yükselmesi, strain relaxion ve örgüuyuşmazlığından kaynaklanan coulomb engeline ve güçlü yapısal düzensizliklerebağlandı. Alınan sonuçlar daha önce yapılmış bulk ve filmlerden farklı çıktı. Fakatilk defa bu çalışmada yapılan LCMO ince filminde büyük manyetodireç %780 eldeedildi. Bunun sebepleri EC enerjisine, grain boyutuna, film kalınlığına ve tabangerilmesine bağlanıldı.

LCMO, LBMO and LSMO magnetic thin films have been fabricated for thefirst time on pyrex and quartz glass by using sol-gel dip coating method. Because ofthe annaelling tempreture, the rate of oxygen of the medium and the thickness ofthe film, the x-ray results have been showed that different intensity of thresholds.Though TC, TMI and %MR (TC 80 K, and 86 K for LCMO and LSMO filmsrespectively. TMI 77.5 K and 112 K for, LCMO and LSMO films respectively.%MR, %780 for LCMO at 100 K and %143 for LSMO at 100 K) valeuses and sempictures of using compounds with nitrate, indicate that are like each others, forLBMO, which has been made from using Ba-isopropoxide, have different TC, TMI(TC 130 K, TMI 137 K, %MR, %260 for LBMO at 125K ) and valeuses and sempictures which are get. The upturn of the resistance that has been observed at lowtemperatures are attributed to the Coulomb blockade and the strong structuraldisorder due to the large lattice mismatch and strain relaxation. The results, whichhave been get by us, are different from previous bulk and thin films that have beenmade. But it have been get first time large ratio %780 manyetorezistivity for the thinfilm LCMO. The reasons of these have been attributed to the EC energy, grain size,film thickness and subsrate tension.