Mikrodalga transistörlü kuvvetlendirıcı tasarımı ve uygulaması

Abstract

Bu çalışmada haberleşme mühendisliğinin en önemli ilgi alanlarından biri olan geniş bantlı mikrodalga kuvvetlendiricisi tasarımı gerçekleştirilmiştir. Mikrodalga kuvvetlendirici tasarımında yüksek frekanslı mikrodalga transistoru ele alınmıştır ve bu transistorun performans veri bilgileri kullanılarak giriş ve çıkış kapısı uydurulmuştur. Düşük gürültülü yüksek kazançlı genişbantlı kuvvetlendirici sentezlenmiştir. Özellikle, mikrodalga kuvvetlendirirci tasarımı sistemin performansını en uygun şekle sokmak için bazı performans ölçüsü dikkate alınır. Bu performans ölçüsü genellikle, bir çalışma bandı boyunca dönüştürücü kazancı, gürültü faktörü, giriş ve çıkış VSWR, bütün frekans bandı boyunca kararlılık gibi performans ölçüleridir.Bu çalışmanın ilk aşamasında mikrodalga kuvvetlendiricinin tasarım prosedüründen hedef uzayı belirlenmiştir. Bu hedef uzayıyla tasarlanan mikrodalga kuvvetlendiricisinin AWR (Microwave Office) programı ile simülasyon sonuçları elde edilmiştir. Elde edilen simülasyon sonuçlarını gerçek hayatta uygulanabilir olması açısından mikrodalga transistorlu kuvvetlendiricinin baskı devresi yapılarak, ölçüm ve simülasyon sonuçları karşılaştırılmıştır.

In this study, wide-band microwave amplifier which is one of the most important interests in communication engineering it is designed. High-frequency microwave transistor is discussed to design microwave transistor amplifier and its datasheet is used to matching input and output gate. Low-noise high-gain broadband amplifiers were synthesized. In particular, the design of microwave amplifier optimize the performance of the system to put some measure of performance is taken into account. This performance measurement generally, for a working band transducer gain, noise factor, input and output VSWR, stability along the whole frequency band, such as performance dimensions.Microwave amplifier design procedure, the target space of the first phase of this study was determined. This space, designed to target the microwave kuvvetlendiricisinin AWR (Microwave Office), the simulation results were obtained with the program. The obtained simulation results can be applied in real life to be made for the microwave transistor amplifier printed circuit board, the measurement and simulation results are compared.