Al/Coronene/n-Si Schottky diyotlarının seri dirençlerinin hesaplanması

Abstract

Schottky tabanlı metal/organik/yarıiletken yapılar, üretim teknolojilerinin gelişmesi ve her geçen gün önemlerinin artması sonucunda dedektörler, güneş pilleri, anahtarlama elemanları, mikrodalga devre elemanları gibi birçok farklı kullanım alanları bulmuşlardır. Bir metal/organik/yarıiletken oluşumunda engel yüksekliğinin kontrolü, yüksek performanslı bir opto-elektronik devre elemanı tasarlamak için önemlidir. Devre elemanının performansı ve güvenirliği, o malzemenin atomik boyutta geometrik ve elektronik özellikleri ile yakından ilişkilidir.Bu kapsamdan yola çıkarak araştırmanın amacı:Metal/Organik/Yarıiletken yapıların, elektriksel karakteristikleri incelenerek, seri dirençlerinin hesaplanmasıdır. Buna göre; öncelikli olarak n-tipi Si yarıiletkenler ve kaplanan metaller farklı kimyasal yöntemlerle temizlendikten sonra, metal ve organik madde (CORONENE- C24H12) yarıiletken yapının üzeri vakumlu ortamda evaporasyon yöntemiyle kaplama yapılarak, Al/Coronene/n-Si Organik Schottky Diyot yapıları oluşturulmuştur. Elde edilen bu yapıların iki ucundan elektriksel bağlantı yapılarak karakterizasyon işlemleri yapılmıştır. Uygulama aşamasında her numune oda sıcaklığında I-V (Akım-Gerilim) ölçümleri bilgisayar kontrollü cihazlar ile alınarak diyot parametreleri hesaplanmıştır. Ayrıca farklı üretim yöntemleri kullanılarak, Schottky tabanlı Metal/Organik/Yarıiletken yapılarının elektriksel özelliklerinde değişiklik meydana getirilmenin de mümkün olduğu görülmüştür.

Schottky based metal/organic/semiconductor structures, as a result of the development of production technologies and increasing importance with each passing day detectors, solar cells, switching elements, and microwave circuit elements have found many different uses. Control of barrier height in a metal/organic /semiconductor formation is important to design a high-performance opto-electronic circuit element. The performance and reliability of the circuit element is closely related to the geometric and electronic properties of that material in atomic dimensions.The aim of this research is:The calculation of series resistances of metal/organic/semiconductor structures by examining their electrical characteristics.According to this; n-type Si semiconductors and coated metals are firstly cleaned by different chemical methods. Al/Coronene/n-Si Organic Schottky Diode structures are formed by coating the metal and organic material (CORONENE- C24H12) on the semiconductor structure by vacuum evaporation method. Characterizations of these structures were made by electrical connection at both ends. At the application stage, diode parameters were calculated by taking I-V (Current-Voltage) measurements at room temperature with computer controlled devices. Furthermore, it was seen that it is possible to make changes in electrical properties of Schottky based Metal/Organic/Semiconductor structures by using different production methods.