A Study of the staeblerwronski effects in hydrogenated amorphous silicon films

Abstract

KISA ÖZET Bu çalışmada hidroj enlenmiş amorf silisyum ince filmlerde ışığa bağlı olarak ortaya çıkan ve kararlı gibi davranan (metastable) değişmeler ele alınmış, Staebler- Wronski olayı gözlemlenmiş ve incelenmiştir. Uzun süre ışık altında bırakılan filmlerin iletkenliklerine, fotoiletkenliklerine ve iletkenliklerinin sıcaklığa bağlı davranışına ilişkin deneysel verilerden hareket edilerek, ışığa bağlı kusurları ortaya çıkaran mekanizmayı açıklamak üzere ortaya atılmış iki temel model birbiriyle karşılaştırılmış ve bu modellerden yük-tuzaklayıcı kusur modelinin Staebler- Wronski olayını zayıf-bağ kopması modelinden daha iyi açıkladığı sonucuna varılmıştır. îleride yapılabilecek çalışmalara yönelik öneriler sonuç bölümünde sunulmuştur.

IV ABSTRACT In this thesis, light-induced metastable changes in hydrogenated amorphous silicon thin films are investigated. The Staebler-Wronski effect is observed and studied. On the basis of the experimental data concerning the changes in dark conductivity, photoconductivity, and temperature dependence of dark conductivity of the films upon prolonged light-soaking, it is found that among the two basic models recently proposed to account for the mechanism of the light-induced metastable defect formation, the charge-trapping defect model seems to be much more adequate than the weak-bond breaking model. A future work is also formulated and suggested in the conclusion part. ÎETİM Wmni MOM M£jjftt,.,