Saydam iletken oksit filmleri olarak nadir toprak elementi (Re) katkılı bir boyutlu ZnO nanoyapılarının sentezlenmesi ve karakterize edilmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ZnO oda sıcaklığında 3.37 eV geniş bant aralığına sahip n-tipi bir yarı iletken olup optoelektronik cihazlar, güneş hücreleri, gaz sensörleri, alan emisyonları, piezoelektrikler, şeffaf iletken oksitler, transistörler ve süperkapasitörler gibi çok çeşitli uygulamalarda kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında, kaplanmamış ve Gadolinyum (Gd) katkılı ZnO nanorodlar, cam altlıklar üzerinde spin kaplama ve hidrotermal yöntemler kullanılarak üretilmiştir. Gadolinyum katkısının ZnO nanorodlar üzerindeki yapısal, morfolojik, elektriksel ve optik özelliklere etkisi ise X-ışınları difraksiyonu (XRD), alan etkili taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM), mor ötesi-görünür bölge (UV-VIS) spektroskopisi ve dört nokta DC yöntemlari ile analiz edilecektir. ZnO is an n-type semiconductor with a direct wide band gap of 3.37 eV at room temperature which has been receiving considerable attention due to its potential utility in various applications such as optoelectronics, solar cells, gas sensing, field emission, piezoelectrics, transparent conductive oxide, transistors and supercapacitors. In this study, undoped and Gadolinyum (Gd)-doped ZnO nanorods (NRs) were produced on glass substrates via spin coating and hydrothermal methods. The effect of Gd doped on the structural, morphological, electrical and optical properties of ZnO-NRs was examined by using X-ray diffraction (XRD), field emission electron microscopy (FE- SEM), ultravioletevisible range spectrometry (UV-Vis) and four probe DC method.
Collections