Excess carriers and metal contacts on hevavily doped p-type silicon

Abstract

KISA ÖZET Bu çalışmada, 10mm x 4mm boyutlarındaki silikon örneğinin özellikleri incelenmiştir. Yarı iletken tipi, direnç, özdirenç, iletkenlik, mobilite, taşıyıcı yoğunluğu bu özellikler arasındadır. Metal- Yarıiletken kontakları, hem omik hem de doğrultucu kontaklar incelenmiş ve bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. Yaratılmış azınlık taşıyıcılarının mobilitesini ölçmek için Haynes-Shockley Deneyi üzerinde çalışılmıştır. Silikon örneğinin özellikleri başarı ile elde edildiği halde Haynes- Shockley Deneyi gerçekleştirilememiştir. Bunun sebepleri ise bu tezde tartışılacaktır.

IV ABSTRACT In this thesis, the characteristics of a Si sample with dimensions of 10mm x 4mm are investigated The characteristics involve the conductivity type, resistance, resistivity, conductivity, mobility, and carrier concentration. The metal- semiconductor contacts (Al- pSi), both ohmic and rectifying, are analyzed and the barrier height of the Schottky diode is calculated. Haynes Shockley Experiment is tried for the determination of the excess minority carriers. Although the characteristics of the Si sample are achieved successfully, The Haynes Shockley Experiment is unsuccessful. The reasons for the failure of this experiment and the methods to overcome the problems will be discussed in this thesis.