Püskürtme yöntemiyle SnO2/CuInSe2 ince film güneş pilleri yapımı

Abstract

Bu çalışmada, püskürtme yöntemiyle Sn02 ve CuInSe2 ince filmleri çeşitli alttaban sıcaklıklarında hazırlandı. Her ikisinin optik ve elektriksel özellikleri incelendi. Sn02'nin optik geçirgenliğinin görünür bölgede % 80-98 arasında, CuInSe2'nin ise % 0.2-15 arasında olduğu gözlendi. Böylece CuInSe2'nin çok iyi bir soğurucu olduğu görüldü. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinin elektriksel özellikleri dört nokta ölçer aleti ile ölçüldü. Sn02'nin özdirenci 0.9-91.7 Hem, direnci 0.79xl02-79.6xl02 H, katman direnci de 0.36xl03-36.1xl03 Ü./Ü olarak bulundu. CuInSe2'nin özdirenci 0.01- 72.0 n-cm, direnci 0.96-9.7x1 03 Q. ve katman direnci ise 0.04xl02-438.4xl02 Q/0 olarak saptandı. Özdirençler ayrıca Van der Pauw yöntemiyle de ölçüldü ve Sn02'nin özdirenci 0.12xl0_2-40.9xl0-2 ficm, CuInSe2'nin özdirenci ise 0.76xl0-3- 2.02xl0~3 Ocm olarak bulundu. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinden heterokavşaklı Sn02/CuInSe2 ince film güneş pilleri oluşturuldu. Bu ince film güneş pillerine gümüş boyası ile kontaklar yapılarak açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Açık devre geriliminin 2-3 mV arasında, kısa devre akımının ise 1-2 uA arasında olduğu görüldü. Bu değerlerin düşük olması nedeniyle I-V eğrisi çizimi yapılamadı.

In this work, thin films of Sn02 and CuInSe^ were prepared at different substrate temperature by spray pyrolysis. Optical and electrical properties of each film were investigated. In the visible region the optical transmittance of Sn02 was observed as 80-98 % while the optical transmittance of CuInSe2 films were varied between 0.2-15 %.' Thus, CuInSe^ was seen as a good absorber. The electrical properties of Sn02 and CuInSe2 thin films were measured by four point probe device. The resistivity of Sn02 0.9-91.7 Qcm, resistance 0.79x1 02-79.6xl02 Q, and sheet resistance 0.36xl03- 36.1x1 03 CI/Û were found. The resistivity of CuInSe2 0.01-72.0 Ocm, resistance 0.96- 9.7x1 03 Q. and sheet resistance 0.04x1 02 -438.4x10` Q./D were found. Resistivities were also measured by the Van der Pauw method, and the resistivity of Sn02 was 0. 12x 1 0 2 40.9xl0-2 Clem, and that of CuInSej was 0.76x1 0_3~2.02xl0~3 Qcm. The heterojunction SnC2/CuInSe2 thin film solar cells were formed from Sn02 and CuInSe2 thin films. The contacts were made to these thin film solar cells with silver paint, and the open circuit voltages and short circuit currents were measured. The short circuit current and open circuit voltage were determined between 1-2 uA and 2-3 mV, respectively. Because of low values of these quantities the I-V curve has not been drawn.