İnce film CIGSSe soğurucu katmanına sahip güneş hücrelerinde stokiyometrik oranların akım-iletime etkisi

Abstract

Bu çalışmada; sıcaklığa bağımlı akım-gerilim ölçümlerinden yararlanılarak ZnO/CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)2 heteroeklem güneş hücrelerinde baskım akım-iletim mekanizmaları belirlenmesi amaçlanmıştır. Cu(In,Ga)(S,Se)2 soğrucu katmanının stokiyometrik oranlarına bağlı olarak hem ışık altında hem de karanlık altında akım-iletim mekanizması değişimleri incelenmiştir. Buna göre Cu ve S oranı yüksek hücrelerde baskın olan iletim mekanizması CdS/soğurucu ara yüzeyinde görülürken, Cu ve S oranı düşük aygıtlarda soğurucu katmanın boşaltılmış bölgesinde görülmektedir.

In this study the aim is to determine dominant current-transmission mechanisms in ZnO/CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)2 heterojuntion solar cells by using temperature dependent current-voltage measurements. Depending on the stochiometric ratios of Cu(In,Ga)(S,Se)2 adsorbent layer, current-transmission mechanism was examined both under light and in the dark. Accordingly the transmission mechanism which is dominant in cells with high Cu and S ratio is observed in CdS/adsorbent interface while it is observed in emptied section of adsorbent layer in devices where Cu ad S ratio is low.