Organik (1,4-m-diamin) arayüzeyli n-Si schottky diyodun elektriksel karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, 1,4-m-diamin molekülünün etanol kullanılarak oluşturulan çözeltinin n-Si üzerine damlatılması ve çözücünün buharlaştırılması ile elde edilmiş Al/1,4-m-diamin /n-Si Schottky diyodun akım gerilim ölçümlerinden oda sıcaklığında idealite faktörü 1,13 ve engel yüksekliği 0,82 eV olarak elde edilmiş. Norde Fonksiyonlarından seri direnç 7,213 x 104 Ω ve engel yüksekliği 0,83 eV bulunmuştur. Cheung modeliyle engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç değerleri elde edilmiştir. Elde edilen veriler kullanılarak maddenin yasak enerji aralığı Eg = 3,95 eV olarak hesaplandı. Bu yapının güneş simülatörü altında akım gerilim ölçümlerinden fotovoltaik parametreleri elde edildi. Elde edilen verilerden aygıtın fotodiyot özellik gösterdiği anlaşıldı. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, 1,4-m-diamin, ince film, foto diyot.

In this study, we have investigated the effect of the 1,4-m-diamine molecule on the n-Si solution and the evaporation of the solvent by using the Al / 1,4-m-diamine / n-Si Schottky diode. Current voltage measurements were obtained at room temperature, ideality factor 1.13 and the barrier height 0.82 eV. From the Norde functions the series resistance and barrier height were found to be 7.213 x 104 Ω and 0.83 eV respectively. Cheung model obtained barrier height, ideality factor and series resistance values. Using data the forbidden energy gap of the substance was calculated as Eg = 3.95 eV. Photovoltaic parameters were obtained from the current voltage measurements under solar simulator. From data it was understood that the device was photodiode-specific.Keywords: Schottky diode, 1,4-m-diamine, thin film, photo diode.