Sputter yöntemiyle elde edilen sade ve bor katkılı organik arayüzeyli metal/p-Si güneş pillerinin karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, suda çözünen borik asitten sulu çözelti hazırlanarak elektrokimyasal kaplama yöntemiyle Borik asitten bor kaplanabildiği, molibden bir folyo üzerine denenip SEM ve XRD ile teyid edildikten sonra, Borik asit çözeltisi ile Elektrokimyasal kaplama yöntemiyle p-Si üzerine Bor tabakası kaplandı. Bu elektrokimyasal Bor kaplama işlemi literatürde ilk olmuştur. Ardından uyum göstereceği düşünülen organik boyar madde olan Safranin T ile metal/yarıiletken/inorganik-organik/metal yapı elde edildi. Böylece Au/Al/p-Si/Al/Au, Au/Al/B/p-Si/Al/Au, Au/Al/ST/B/p-Si/Al/Au, Au/Al/ST/p-Si/Al/Au yapıları elde edildi. Bununla birlikte tavlamaya ve arayüzey kaplama sürelerine ve damlatılan ST miktarına göre sınıflandırma yapıldı. Elde edilen 13 farklı ölçüm veren bu numuneler 6 gruba ayrıldı. Bu ölçümlerde en iyi Vad değeri Au/Al/ST/B/p-Si/Al/Au numunesinin 400oC'de tavlanmışı için 1,12 V olarak elde edilirken, en iyi dönüşüm verimliliği Au/Al/B/p-Si/Al/Au numunesinin tavlanmamışı için 0,592 olarak ve Fill Faktörü Au/Al/B/p-Si/Al/Au numunenin 400oC'de tavlanmışı için %29,73 olarak elde edilmiştir.

In this study, Boric Acid solution is coated on the p-Si wafer electrochemically after it is confirming by XRD and SEM analysis that Mo foil is coated by a Boron layer in order to define ability of Boron caoting by electrochemical proccess. This electrochemical Boron coating is the first one that done since now. Then, metal/semiconductor/inorgainc-organic/metal structure is obtained by Safranine-T that organic die matter which is thought to be exhibit good conformity. So, Au/Al/p-Si/Al/Au, Au/Al/B/p-Si/Al/Au, Au/Al/ST/B/p-Si/Al/Au, Au/Al/ST/p-Si/Al/Au structures are obtained. With this process classification is made by annealing, interface coating time, and amount of dropped ST. Samples those are obtained which give 13 different measurement grouped into 6. In these measurements, while the best Voc value is obtained as 1.12V for 400oC annealed Au/Al/ST/B/p-Si/Al/Au sample, the best conversion efficiency value is obtained 0,592 for as-deposited Au/Al/B/p-Si/Al/Au sample, and the best Fill Factor is obtained 400oC annealed Au/Al/B/p-Si/Al/Au sample as %29,73.