MOS arayüzey yük yoğunluğu ölçümü ve özelliklerinin saptanması

Abstract

-~80 ~ ?, C-V yöntemiyle MO S kapa sit ör arayüzeyinde silisyum yasak enerji aralığa için de yaralan arayüzey durumları niteliksel ve 3ayısal olarak saptanmaya çalışa İmiş-*- tır. Bu arayüzey durumlarının enerji aralı/'andaki han#i enerji seviyelerinde yoğun laştıklarını saptamak için yüzey potansiyeli basit bir deneysel yöntem kullanıla rak elde edilmiştir. Ayrıca, yanlız C-V deneysel bulgularından C, oksit kapasi- tansı da elde olunarak buradan oksit kalınlığı da inos bir duyarlıkla bulunmuştur. Ancak, bu çalışmada incelenen yöntem ile arayüzey durumlarının yasak enerji aralı ğı içindeki konumları, Özellikle Formi seviyesi yakınlarında olanlarının sayısal olarak saptanmasına rağmen niteliklerinin anlaşılması mümkün olmamaktadır.

81 ABSTRACT In thin work I have investigated and tided to determine the. interface states which 'ire in the ralloon -forbidden *»ap by extracting the results of the C-V measurements. The surface potontial or bond bonding of the semi conductor is obtained to determine the most probable energy levels of those states. Therefore, a simp lified experimental method is used to nolvo thin problpm. Besides, C, the oxide capacitance is calculated with utmost sensibility by the high frequency C-V measurements, it was possible quantitatively to obtain the interface- ccatoî especially nearby of the Fermi level but, it is impossible to interpret the chemical origins of the interface states by this experimental method.