Borik asidin, kimyasal püskürtme yöntemiyle büyütülen ZnS filmlerinin kristalizasyonuna etkisinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, II- VI grup ikili bileşiklerinden olan ZnS:B yarı iletken filmin elde edilme özelliği incelenmiştir. ZnS:B yarı iletken filmi 500 0C alt taban sıcaklığında ZnCl2(0.05M), CS(NH2)2 (0.05M) ve %0, %1, % 3 ,%5 oranlarında H3BO3 (0,05M) püskütme çözeltileri kullanılarak Sprey Pyrolysis (SP) metodu ile cam tabanlar üzerinde üretilmiştir. Belirtilen taban sıcaklığı ve Bor katkılı oranlarda elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenleri incelenerek Zns:B filmlerinin hekzagonal yapıda kristalize olduğu ve polikristal yapıya sahip olduğu gözlemlenmiştir. Kristallerden oluşmuş taneciğin boyutu, elektriksel özellik olan özdirenci ve hall mobilitesi ile enerji bant aralığı değerleri belirlenmiştir. Elde edilen yarı iletken filmlerin karakterizasyonuna çeşitli oranlardaki Bor katkısının etkisi incelenmiştir.

In this work,ZnS semiconductor films which belong to the II-VI group were prepared on glass substrate by of Spray Pyrolysis at substrate temperature 500 0C, by using ZnCl2(0.05M), CS(NH2)2 (0.05M) and 0%, 1%, 3%, 5% range H3BO3 (0,05M) solution. The structural properties of boron doped ZnS films have been investigated by (XRD) X-ray diffraction techniques. The X-ray diffraction spectra showed that boron doped ZnS films are polycrystalline and have a hexagonal (wurtzite) structure. The grain size, resitivity and hall mobilities which belongs to properties of electrity were defined and correlated with the substrate temperature (TS) at different range of Boric acide. The changes observed in the characterization of the films related to the different range of H3BO3 are discussed in detail.