DLTS yöntemi ile n-tipi InP yarıiletkeninde yapı bozukluklarının bulunması

Abstract

Bu çalışmada n-tipi indiyum fosfat Schottky diyodu oluşturulurken ve radyasyona maruz bırakıldığında meydana gelen yapı bozuklukları, özellikle DLTS tekniğini içeren elektriksel kapasitans teknikleri ile araştırılması sunuldu. Yarıiletkenlerdeki yapı bozukluklarının elektronik seviyelerinin bulunmasında kullanılan DLTS metodu güçlü bir metottur. Bu çalışmada deneysel DLTS datalarının değerlendirilmesi detaylı olarak analiz edildi. Deneyler sonucunda elde edilen teorik DLTS spektraları ile similasyon spektraları karşılaştırıldı. Elde edilen DLTS spektralarının tekli elektronik seviyemi yoksa çoklu elektronik seviyemi olduğu hakkında bilgi verildi. Anahtar sözcükler: n-tipi İndiyum Fosfat Schottky Diyodu, Derin Seviyelerdeki Spektroskopi Değişimi, Aktivasyon Enerjisi, Elektron Yakalama Tesir Kesiti 111

The work described here is an investigation, by electrical capacitance techniques, including especially Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), of as-grown and irradiation -induced lattice defects in n-type indium phosphide. DLTS is a powerful method used to identify the electronic levels of defects in semiconductors. In this study the experimental DLTS data have been analysed in detail, including by comparing them with theoretical simulated DLTS spectra so as to determine whether each observed DLTS peak is due to a single electronic level or multiple levels. Key Words: n-type Indium Phosphide Schottky Diode, Deep Level Transient Spectroscopy Activation Energy, Electron- Capture-Croos-Section