Kane tipi yarı iletken kuantum halkasında faz gecikme zamanı

Abstract

Bu tez çalışmasında yarı iletken kuantum halkalarında tünel olayı, iki farklı geometride,bantlar arası etkileşmeyi dikkate alan Kane modeli kullanılarak incelenmiştir. Birinci kısımdaGaAs'ın gerçek bant yapısı (Kane Modeli) dikkate alınarak kuantum dalga klavuzu teorisiGaAs yarı iletken kuantum halkası için uygulanmış, kuantum halkasında geçme katsayısınınfiziksel değişkenlere bağlı olarak değişimi incelenmiştir. İkinci kısımda ise yine GaAs'ıngerçek bant yapısı dikkate alınarak, GaAs yarı iletken kuantum halkasında yansıma modundafaz gecikme zamanı üzerinde durulmuştur. Faz gecikme zamanı için analitik bir çözümyapılmış ve Aharonov-Bohm akısının etkisi de dikkate alınarak fiziksel değişkenlerin fazgecikme zamanına etkileri incelenmiştir.

In the present thesis, tunneling effect at semiconductor rings is investigator for two differentgeometries using Kane model which treats( takes account) coupling of bands. In the first part,quantum waveguide theory is implemented to the GaAs semiconductor quantum rings takingaccount of the real band structure of GaAs and variation of the transmission coefficientthrough quantum ring with respect to physical parameters is investigated.In the second part, considering the real band structure of GaAs it has been examined(dwelledon) the phase delay time in the reflection mode of the quantum ring. An analytic solution isdone for the phase delay time and the effect of physical parameters on the phase delay time isalso investigated taking account under the effect of Aharonov-Bohm flux.