Elektrokimyasal olarak büyütülen ZnSe ince filmlerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin ve heteroeklem uygulamalarının araştırılması

Abstract

Bu çalışmada, ZnSe ince filmi elektrokimyasal büyütme tekniğiyle ITO ve p-tipi Si altlık malzemeler üzerine büyütülmüştür. Büyütme işleminde çinko perklorat (ZnClO4), selenous asit (H2SeO3) ve selenium dioksit (SeO2) bileşikleri kullanılmıştır. Elektrokimyasal olarak ZnSe ince filmleri ITO üzerine -0,6 V ve p-Si üzerine -1,4 V potansiyel uygulanarak elde edilmiştir. Büyütülen numunelerin yapısal özellikleri, optiksel özellikleri X-ışını kırınımı ve soğurma spektrumları yardımıyla incelenmiştir. ZnSe/p-Si heteroekleminin akım-voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiş ve akım-voltaj grafiğinde doğrultma davranışı olduğu gözlenmiştir. İdealite faktörü akım-voltaj grafiğinden 1,76 olarak hesaplanmıştır.

In this study, ZnSe thin film was grown by electrochemical deposition technique onto ITO and p-Si substrate materials. In order to obtain ZnSe, zinc perchlorate (Zn (ClO4)2), selenous acid (H2SeO3) and selenium dioxide (SeO2) compounds are used. Electrochemically to obtain ZnSe thin films on ITO and on p-Si was applied -0,6 V and -1,4 V potential, respectively. The structural and optical properties of growth samples, X-ray diffraction and absorption spectra was analyzed. The current-voltage (I-V) characteristics of ZnSe/p-Si heterostructures were examined. Ideality factor from the current-voltage plot was calculated as 1,76.