Molecular beam epitaxial growth of ZnSe on (211)B GaAs

Abstract

Bu tezin amacı ZnSe ara katmanının GaAs(211)B yüzeyine Moleküler Demet Epitaksiyel (MBE) ile büyütülmesidir. Bu çalışmada, büyütme sıcaklığı, VI/II akı oranı, In ve As ile yapılan deoksidasyon adımları çalışılmıştır. Filmlerin kristal kalitesi X-ışın kırınımı (XRD) ile tahmin edilmiştir. Yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskobu ve Nomarski mikroskobu ile analiz edilmiştir. ZnSe ara katmanının titreşimli fonon modları, termal ve elastik gerilimleri Raman spektroskobisi kullanılarak gözlemlenmiştir.

The aim of this theses is the growth of ZnSe epilayer films on (211) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of growth temperature, VI/II flux ratio and deoxidation process with In and As were studied in this study. Crystal qualities of films were investigated by using X-ray diffraction. The surface morphology of ZnSe films were analyzed by atomic force microscopy and Nomarski microscopy. Vibrational phonon modes, thermal and elastic strains of ZnSe epilayer were observed by using Raman spectroscopy.