TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Düzensiz fazdaki TlGaSe2 ferroelektrik-yarıiletken kristalindeki karanlık akım veısıl uyarılmış akımda ısıl bekleme etkisi araştırıldı. Düzensiz fazda kristalin birkaç saatbeklemesiyle iletkenliğin bu iki tipinde fark edilir bir değişim gösterildi. Beklememinbaşlıca etkisi gevşeme zamanının gittikçe azalmasına yol açan kusurların, yakalamatesir kesitinin önemli bir olay olmasıyla ilişkili sonuçlar elde edildi. Effect of thermal annealing on dark conductivity and thermally stimulatedconductivity in ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 with incommensurate phase isinvestigated. It is shown that both type of conductivities are drastically changed offersome hours annealing of the crystal within the incommensurate phase. Obtained resultslead to the correlation that the main effect of annealing is the great effect of impuritiescapture cross sections leading to the dramatic increasing of the relaxation times.
Collections